Сложная тонкая структура - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Вы молоды только раз, но незрелым можете оставаться вечно. Законы Мерфи (еще...)

Сложная тонкая структура

Cтраница 1


Сложная тонкая структура сириноксила была точно определена способом электронно-ядерного двойного резонанса, так называемого метода KNDOR KOTOpbiu является сочетанием ЭПР и ЯМР.  [1]

Просвечивающая электронная микроскопия выявила во многих сплавах весьма сложную тонкую структуру мартенситных кристаллов с большим количеством дислокаций и двойников. Такая субструктура может возникнуть двумя принципиально разными путями: во-первых, при дополнительной пластической деформации ( скольжением или двойникованием), которая, как показано в § 34, является неотъемлемой составной частью механизма мартенситной перестройки решетки, и, во-вторых, при пластической деформации после образования мартенсита из-за воздействия на мартенситный кристалл окружающей упругой среды.  [2]

При обработке металлических кристаллов вблизи их поверхности возникает область сильных искажений, характеризующаяся сложной тонкой структурой из нескольких слоев. Такие слои содержат разные дислокационные ансамбли, среди которых преобладают ансамбли с неоднородным пространственным распределением, причем параметры, определяющие степень искажений решетки, как правило, уменьшаются с глубиной залегания приповерхностных слоев.  [3]

Наличие непрерывного спектра поглощения в УФ-области может служить указанием на некоторое разложение молекул, однако спектры МОС в газообразном состоянии часто кажутся сплошными вследствие перекрывания линий сложной тонкой структуры.  [4]

При излучении электронных спектров влияние колебательных и вращательных степеней свободы проявляется в том, что вместо одной линии, соответствующей определенному электронному переходу, в спектре проявляется целая серия линий, частоты которых отличаются друг от друга на величину, соответствующую частоте колебаний; в свою очередь, каждая линия этой серии имеет сложную тонкую структуру, обусловленную вращением молекулы. Полный набор различных колебательных и вращательных линий, соответствующих одному электронному переходу, образует одну спектральную полосу.  [5]

При излучении электронных спектров влияние колебательных и вращательных степеней свободы выражается в том, что вместо одной линии, соответствующей определенному электронному переходу, в спектре проявляется целая серия линий, частоты которых отличаются друг от друга на величину, соответствующую частоте колебаний; в свою очередь, каждая линия этой серии имеет сложную тонкую структуру, обусловленную вращением молекулы. Полный набор различных колебательных и вращательных линий, соответствующих одному электронному переходу, образует одну спектральную полосу.  [6]

При излучении электронных спектров влияние колебательных и вращательных степеней свободы выражается в том, что вместо одной линии, соответствующей определенному электронному п е-реходу, в спектре проявляется целая серия линий, частоты Которых отличаются друг от друга на величину, соответствующую частоте колебаний; в свою очередь, каждая линия этой серии имеет Сложную тонкую структуру, обусловленную вращением молекулы. Полный набор различных колебательных и вращательных линий, соответствующих одному электронному переходу, образует одну спектральную полосу.  [7]

При изучении электронных спектров влияние колебательных и вращательных степеней свободы проявляется в том, что вместо одной линии, соответствующей определенному электронному переходу, в спектре, в простом случае одной колебательной степени свободы, появляется целая серия линий, частоты которых отличаются друг от друга на величину, соответствующую частоте колебаний ( 500 - 3000 см 1); каждая линия этой серии имеет в свою очередь сложную тонкую структуру, обусловленную вращением молекулы. Полный набор различных колебательных и вращательных линий, соответствующих одному электронному переходу, образует одну спектральную полосу. Участок сравнительно простого полосатого спектра поглощения газообразного CS2 показан на фиг.  [8]

Сложная тонкая структура; неизвестно точно, является ли нижнее состояние основным электронным состоянием НСО. Указанные два состояния, вероятно, связаны с одним и тем же состоянием ог2я4я 2п линейной молекулы НСО. В работе [851] приведено значение 2488 cjii-i, полученное при исследовании спектра НСО, замороженного в матрице СО при 14 К.  [9]

10 Поправки для расчета Л, енонов в различных растворителях, если известны соответствующие X Пик в 9 % - ном этаноле или метаноле. [10]

Можно предположить, что их появление обусловлено локальными возбуждениями я-электронной системы, однако низкая интенсивность одной нз полос свидетельствует о том, что скорее всего причиной этого является запрещенный переход ( см. работу [10], с. Интересно, что упоминавшаяся полоса обладает сложной тонкой структурой я смешается в длинноволновую область по мере увеличения числа алкильных заместителей в бензольном кольце [ ср.  [11]

Дело в том, что мозг отличается чрезвычайно сложной и тонкой структурой и организацией. Если у нас нет о них достаточно четкого представления ( а, вероятно, это именно так), то глубокое изучение мозга во всяком случае позволяет получить хоть некоторое представление о сущности тех задач, которые мы рассматриваем. Это представление выражается в форме, о которой говорилось выше: оно заключается в понимании того, что мы имеем дело с синтезом более высокого порядка, с дополнительностью противоположных высказываний.  [12]

Для сравнения на рис. 8 приведены частоты переходов vls ( eiu) около 1036 см 1 и Vj7 ( ezu) около 980 см 1 в спектрах бензола и de - бензола при высоком разрешении. Первое колебание разрешено в газе, второе же появляется только вследствие возмущений в кристалле, и, действительно, соответствующая полоса примерно в 20 раз слабее, чем первая. Почти полностью разрешенная сложная тонкая структура превосходно согласуется с предсказаниями теории и с надежно установленной структурой кристалла. Узость линий по сравнению с расщеплениями указывает на разумность экситонной концепции.  [13]

Мы не будем заниматься здесь рассмотрением ударной волны как огибающей, а вместо этого будем трактовать ее как волновой фронт и применим для изучения этого фронта геометрическую акустику. В большинстве оптических проблем идея волнового фронта не слишком полезна, являясь приближением, эквивалентным геометрической оптике и менее информативным вблизи устойчивых каустик. Никакая вспышка света не будет настолько короткой, чтобы служить аппроксимацией волнового фронта, но для звукового удара это возможно. Он имеет сложную тонкую структуру, но его распространение в атмосфере может быть подсчитано - и обычно так и делается - по аналогии с геометрической оптикой.  [14]

Иногда случается, что две верхние кривые потенциальной энергии АВ и АВ пересекаются. При этом возможно, что будет происходить переход с АВ на уровень Е2 кривой АВ, с образованием молекулы, которая некоторое время будет колебаться вдоль этой кривой ( АВ), а затем перескочит на пересекающую кривую Л5 - на уровень, соответствующий диссоциации связи. Такой процесс диссоциации с задержкой после момента активации, соответствующей по времени многим колебательным периодам, называется преддиссоциацией. К сожалению, выводы из спектральных данных отнюдь не так отчетливы, как может показаться из предыдущего. Спектры органических молекул в газообразном состоянии часто бывают сплошными вследствие перекрывания линий сложной тонкой структуры.  [15]



Страницы:      1