Cтраница 1
Прямая структура с одним источником питания и выходной величиной ток одинакова с обратимой структурой; если выходная величина - напряжение, то прямая структура совпадает с дуально-обратимой. Переход от прямой структуры к трем другим может быть осуществлен формально в соответствии с известными правилами. [1]
Выделим прямые структуры, автоматы и взаимосвязанные характеристики. [2]
Но если граф имеет прямые структуры, то для них можно выделить связи, которые обязательно должны быть непосредственными. [3]
![]() |
Дисперсия показателя преломления в твердых растворах Ga Ini xP Asi /, изопериодических InP 1 - уО. 2 - 0 2. 3 - 0 4. 4 - 0 6. 5 - 0 8. 6 - 1 0. [4] |
При любых составах твердые растворы имеют прямую структуру энергетических зон. Возможности практического использования этой четверной системы ограничиваются существованием области несмешиваемости, расположенной со стороны тройного сплава GaAs-GaSb. Точное положение границ этой области пока не установлено. Использованию подложек из AlSb препятствует сильное окисление этого материала. [5]
Принцип дуальности преобразования позволяет по одной прямой структуре ( схеме) получить еще три структуры ( схемы) - обратимую и дуальные. [6]
![]() |
Край собственного поглощения.| Положение края собственного поглощения в полупроводниках A 1BV.| Край собственного поглощения фосфида галлия. [7] |
В бинарных соединениях A BV с прямой структурой энергетических зон ( GaN, GaAs, InP, InSb), когда экстремумы зон соответствуют одному значению волнового вектора, край собственного поглощения определяется прямыми оптическими переходами. Сдвиг спектров по шкале энергии возникает в результате температурного изменения ширины запрещенной зоны. Узкие пики на краю поглощения соответствуют оптическим переходам с образованием экситонов. Последние существенно влияют на форму края поглощения не только при низкой, но и при комнатной температуре. [8]
В ( 300 К) этот материал имеет прямую структуру зон. [9]
Множество вершин, не входящих ни в один автомат, образуют прямые структуры. В случае если граф связей содержит автоматы, для получения минимального графа в исходном графе к каждому автомату применяется операция стягивания всех вершин в одну. [10]
Множество вершин, не входящих ни в один простой контур, образует прямые структуры. [11]
![]() |
Закономерности изменения ширины запрещенной зоны в системах псевдотройных. [12] |
В системах ( AlGalnAs) и ( AlGalnSb) основное поле на диаграмме составов соответствует материалам с прямой структурой энергетических зон. [13]
Прямая структура с одним источником питания и выходной величиной ток одинакова с обратимой структурой; если выходная величина - напряжение, то прямая структура совпадает с дуально-обратимой. Переход от прямой структуры к трем другим может быть осуществлен формально в соответствии с известными правилами. [14]
В процессе обучения приходится решать следующие задачи: строить граф приема информации, находить и анализировать связи, которые при данной структуре обязательно будут непосредственными, выделять множества взаимосвязанных параметров и прямых структур, соответствующих причинным связям без обратного влияния. Все эти операции выполняет ЦВМ, в памяти которой хранится информация, полученная из АВМ и ИП. [15]