Полупроводниковая структура - тиристор
Cтраница 1
Полупроводниковая структура тиристора значительно сложнее, чем у диода. [1]
Четырехслойную полупроводниковую структуру тиристора можно представить в виде эквивалентной ей структуры из двух триодов: типа р-п - р и п-р - п ( рис. 19.43) - и, используя схемы, эквивалентные триоду, составить эквивалентную схемы тиристора. [2]
Типовая р - n - p - n полупроводниковая структура тиристора. [3]
 |
Схема замещения тиристора-диода во время рассасывания носителей в базе. [4] |
Высокое значение предельной мощности, переключаемой тиристором, что обеспечивается особенностями полупроводниковой структуры тиристора. Именно при переключении больших мощностей ( токи порядка 1000 А и более, напряжения порядка 1000В и более) тиристор имеет наибольшие преимущества перед транзисторным ключом. [5]
По мере возрастания тока через р - n - p - n полупроводниковую структуру тиристора увеличивается падение напряжения на толще широкой базы n - типа, что приводит к увеличению длины диффузии дырок. В тот момент, когда дырки в широкой базе достигнут среднего р-п перехода и под действием внешнего электрического поля окажутся втянутыми в узкую базу тиристора, этап 2 заканчивается. [6]
 |
Распределение примесей в диффузионной р-п-р-п структуре. [7] |
Чтобы подчеркнуть, что степень легирования эмиттерных слоев значительно выше, чем базовых, часто в обозначения эмиттерных слоев вводят индекс Полупроводниковую структуру тиристора называют при этом р - п-р - п структурой. [8]
Типичный вариант конструкции корпуса силового тиристора с прижимными контактами и с центральным расположением управляющего электрода представлен на рис. 10.17. Такая конструкция наиболее часто применяется при диаметрах полупроводниковых структур тиристоров от 16 - 18 до 32 мм включительно. Корпус тиристора представляет собой шестигранное медное никелированное основание 1 со шпилькой. Стальная манжета 3 соединена с керамическим изолятором 6 путем высокотемпературной пайки. Медная трубка 13 имеет посередине перегородку. Внутренний основной вывод 14 медный, никелированный, с прорезями для уменьшения его жесткости. Верхним концом силовой вывод 14 входит в трубку 15 крышки корпуса. [9]
Длительность этапа 2 процесса включения может быть определена из ( 6) при условии, что в конце этапа ток в силовой цепи тиристора равен / ( 0 1 - ч - 0 2) 5, где 5 - площадь поперечного сечения р-п-р-п полупроводниковой структуры тиристора. [10]
Длительность этапа 2 процесса включения может быть определена из ( 6) при условии, что в конце этапа ток в силовой цепи тиристора равен / ( 0 1 - ч - 0 2) 5, где 5 - площадь поперечного сечения р-п-р-п полупроводниковой структуры тиристора. [11]
Конечная скорость распространения включенного состояния также является причиной локального выделения энергии при включении тиристора по аноду ( при в. В этих случаях включение полупроводниковой структуры тиристора тоже начинается с некоторой ограниченной области. Поэтому для многих тиристоров ( особенно высоковольтных) включение по аноду может привести к повреждению р-п-р-и - структуры. [12]
При этом через тиристор будет протекать обратный ток, вызванный рассасыванием избыточных носителей в базовых областях тиристора. Для того чтобы найти выражение тока t 06p ( 0 во время переходного процесса выключения тиристора, необходимо решить уравнения диффузии для неосновных носителей в обоих базовых областях р - n - p - n полупроводниковой структуры тиристора. [13]
Страницы: 1