Ступенька - рост
Cтраница 1
 |
Продвижение фронта роста относительно точки D. [1] |
Ступеньки роста при достижении границ грани исчезают, и рост прекращается. Для продолжения роста необходимо образование на идеальной грани двухмерного зародыша критического радиуса. Двухмерные скопления частиц меньшего размера распадаются из-за относительно большой доли энергии частиц периметра скопления, химические связи которых ненасыщены. Скопления частиц большого размера будут расти, но их образование требует затраты определенной энергии. [2]
Отсюда зарождение ступенек роста на гранях кристалла происходит легче, если вольфрам осаждается вместе с рением. Это означает, что рений встраивается в решетку вблизи места адсорбции и расстояние поверхностной диффузии для рения меньше, чем для вольфрама. [3]
 |
Поверхность кубического кристалла металла. Цифрами отмечены участки, где рост кристалла энергетически более выгоден. [4] |
Как видно из рисунка, ступеньки роста регулярно продолжают начатое построение плоскости кристалла. Несколько меньшая энергия освобождается тогда, когда ион осаждается в положение 2 около плоскости кристалла, давая тем самым начало новому ряду атомов, который, однажды начавшись, может ступенчато расти дальше. [5]
На гранях ( 100) ясно видны ступеньки роста, а высокая концентрация золота на некоторых участках свидетельствует о существовании граней с высоким индексом или сильно фасетированных областей. [7]
На рис. 32.14 показана оттененная электронная микрофотография небольшого кристалла парафинового углеводорода, на которой отчетливо видны ступеньки роста кристалла. Видно также, что имеется действительно одна спиральная ступенька, внутренний конец которой оканчивается дефектом кристалла; отсюда и начинается рост кристалла. Дополнительные молекулы присоединяются к кристаллу, пристраиваясь к уступам, образуемым спиралью по мере ее разрастания от возникнувшего дефекта. В настоящее время установлено, что множество кристаллов, вероятно даже все, начинают свой рост с таких дефектов. Отметим, что это разрешает проблему быстрого увеличения тенденции к переходу из одной фазы в другую по мере уменьшения размера частицы, как это показано на рис. 32.4 и обобщено в уравнении Кельвина. [8]
Если торможение процесса роста связано с винтовыми дислокациями, то на поверхности графитизированной газовой сажи можно ожидать появления ступенек роста. В связи с вышеизложенным результаты работ по адсорбции должны быть пересмотрены ( ср. [9]
 |
Структура утоненных пленок. [10] |
В целом сохраняется преемственность поверхностной и внутренней структур пленок / Строчечность пор на утоненных объектах соответствует Определенному узору системы ступенек роста, наблюдаемых на поверхности. [11]
Кристаллы, полученные из растворов в полярных растворителях ( амилацетате, диокса-не), в которых вещество не ассоциировано, имели, как правило, мономолекулярные ступеньки роста. [12]
Учет движения частиц ( электрофоретическое, центробежное, магнитное, за счет сил притяжения), приэлектродных явлений, роли стимуляторов и ингибиторов образования КМ, величин ступенек роста кристаллов и выравнивающей способности электролита. [13]
 |
Предел прочности чистого серебра ( / и серебра, упрочненного частицами А12О3 ( 2 или нитевидными кристаллами А12О3 ( 3 при различных температурах. [14] |
Следовательно, для волокон хрупких материалов, в частности сапфира, понижение прочности обусловлено в основном одним и при этом определенным поверхностным концентратором напряжения, а именно - высотой ступеньки роста. В этом случае масштабная кривая, зависящая только от одного параметра, изменяется более плавно по сравнению с аналогичной кривой для пластичных нитевидных кристаллов. В последних опасны как объемные несовершенства ( дислокации), так и поверхностные. Следует отметить, что выше 1500 С масштабная зависимость прочности на усах сапфира не наблюдается. Это - чрезвычайно важное обстоятельство, позволяющее при высоких температурах использовать как тонкие, так и толстые волокна. [15]
Страницы: 1 2 3