Cтраница 1
Поверхностная ступенька, равная по высоте целому числу расстояний t e ( l / o), не меняет картины контуров, так как все величины в формулах (4.44) и (4.45) являются периодическими функциями с периодом, равным этому расстоянию. [1]
Гетерогенное зарождение дислокаций вблизи поверхностных ступенек в металлах с низкой энергией дефектов упаковки и высокой поверхностной энергией происходит при напряжениях, заметно меньших теоретической прочности ттеор. [2]
Винтовые дислокации облегчают рост кристалла, давая возможность атомам садиться на поверхностную ступеньку. Дислокации влияют на раскалывание кристаллов и другие механические свойства. Наличие дислокаций и взаимодействия между ними объясняет наблюдаемое для некоторых кристаллов явление деформационного упрочения, которое состоит в том, что при увеличении приложенного напряжения пластическая деформация возрастает. [3]
В исследованных кристаллах всегда наблюдались некоторые поверхностные нарушения, которые мы называем поверхностными ступеньками. [4]
Рассмотрим теперь энергетические особенности наиболее распространенной схемы гетерогенного зарождения дислокаций - образование их вблизи поверхностных ступенек. Ступеньки разных знаков А и В превращаются при растяжении кристалла в дислокации А к В в разных системах скольжения I и II. Моноатомная ступенька на поверхности способна образовать не только единичную дислокацию, но при определенных условиях может действовать как источник множества дислокаций по двум системам скольжения. Коэффициент концентрации напряжений К на ступени роста выражается формулой [341] К 1 а ( а / г) / 2, где а - высота ступеньки; г - радиус кривизны ее основания; а - постоянный коэффициент. [5]
Отсюда не следует, что поверхности 111 и 111 атомарно гладкие, но следует, что поверхностная ступенька, которая может существовать, должна быть двухатомной или содержать атомы в виде групп, кратных двум. [6]
Испарение, по крайней мере в условиях небольшого недосыще-ния, происходит, по-видимому, за счет миграции поверхностных ступенек. Активными местами на ступеньках являются изломы, которые, согласно теории Френкеля и теории Бартона, Кабреры и Франка, легко образуются вследствие термических флуктуации. Обычные поверхностные ступеньки, не закрепленные дислокациями, исчезают в процессе испарения. Ступеньки же, закрепленные винтовыми дислокациями, закручиваются в спираль. [7]
Кроме того, в уравнения добавились члены, включающие параметр е, численно равный энергии на единицу длины поверхностной ступеньки. [8]
Берутся микрофотографии [67] базисных плоскостей шести кристаллов, которые были отобраны после 15 % выгорания, с большим содержанием ярко выраженных гексагональных ямок и поверхностных ступенек. [9]
Здесь следует лишь заметить, что в этом случае сравнительно легко определить промежуточную температуру, соответствующую образованию двенадцатиугольных ямок. В подобном случае, когда имеется сравнительно много поверхностных ступенек обоих типов, естественно предположить, что это соответствует темпера-туре, при которой образование двенадцатиугольных ямок предпочтительнее, поскольку условия, обусловливающие образование последних, приводят также и к образованию примерно в равном количестве ступенек [ 101 / и 112 /, если окисление идет с периферий графитовых чешуек. [10]
Известно, что поле напряжений, вызванное наличием дислокации, зависит от положения дислокации по отношению к поверхности кристалла. Особенно разителен этот эффект при располождении дислокации под поверхностной ступенькой - наблюдается излом дислокации или скачкообразное изменение ширины дефекта упаковки. Этому вопросу отведен отдельный параграф третьей главы. [11]
В работе [79] сделан вывод о том, что на реальных поверхностях силы, препятствующие выходу дислокаций, всегда должны бьтГбольше сил зеркального отображения. При этом указано, что для выхода линейной дислокации на поверхность и преодоления ею работы образования поверхностной ступеньки необходимо скопление в ряду скольжения около ста дислокаций при температуре О К и уровне напряжений порядка 1 МПа. Это снижение может быть достигнуто использованием различных поверхностно-активных жидких сред. [12]
Испарение, по крайней мере в условиях небольшого недосыще-ния, происходит, по-видимому, за счет миграции поверхностных ступенек. Активными местами на ступеньках являются изломы, которые, согласно теории Френкеля и теории Бартона, Кабреры и Франка, легко образуются вследствие термических флуктуации. Обычные поверхностные ступеньки, не закрепленные дислокациями, исчезают в процессе испарения. Ступеньки же, закрепленные винтовыми дислокациями, закручиваются в спираль. [13]
Хорошо заметная ямка травления появится только тогда, когда отношение vilvn достаточно мало. Качество травителя можно улучшить, изменяя либо vn, либо ог. Обычный способ уменьшения vi состоит в добавлении к растворителю примесей, которые отравляют изломы на поверхностных ступеньках. Во многих случаях примеси, добавляемые в травитель, не очень специфичны, что дает возможность легко улучшать качество травителя. [14]
В ряде случаев найдено, что линейные ряды дислокаций изменяют свою ширину. Когда линейный ряд дислокаций выходит к ступеньке с макрорасколами, одноатомная ступенька присоединяется к одной или обоим частичным дислокациям. На наиболее интересном рис. 56, г ступеньки противоположного знака присоединяются к обеим частичным дислокациям. Свободная поверхностная энергия кристалла будет уменьшаться, если эти поверхностные ступеньки станут короче. Если 0 - поверхностная энергия, a h - высота ступеньки, то прирост энергии hodx связан с уменьшением длины dx ступеньки. Это означает, что сила На действует на краевую точку дислокации, так как смещение дислокации изменяет длину ступеньки. [15]