Изменение - сопротивление - тензорезистор
Cтраница 1
Изменение сопротивления тензорезистора, вызванное деформацией. В зависимости от измеряемого процесса показания прибора могут сниматься либо визуально по шкале прибора, что обычно практикуют при статическом тензометрировании, либо записываться на бумагу или пленку осциллографа. Такая запись показаний тензорезисторов производится как при статическом, так и при динамическом тензометрировании. В последнем случае запись в виде осциллограмм изображает процесс изменения деформации в функции от времени. [1]
Изменение сопротивления тензорезистора, вызванное деформацией, не превышает нескольких десятых долей ома. Для измерения этих небольших изменений сопротивления в электротензометрии используют две схемы-потенциометрическую и мостовую. Он состоит из четырех последовательно соединенных сопротивлений Ru R2, R3, R4, источника питания, который подключается к одной из диагоналей моста, и регистрирующего прибора ( гальванометра), подключаемого к другой диагонали. При изменении активного сопротивления Rt на AR равновесие моста нарушается и через регистрирующий прибор измерительной цепи проходит ток разбаланса. [2]
 |
Схема измерительного блока преобразователя разности давления с мембранным тензомодулем прибора Сапфир 652ДД.| Функциональная схема блока питания БПЗ-24 прибора Сапфир. [3] |
Изменение сопротивления тензорезисторов, пропорциональное изменению величины измеряемого параметра, преобразуется с помощью встроенного электронного устройства в токовый выходной сигнал ( 4 - 20 мА) первичного преобразователя. Чувствительный элемент тензомодуля - пластина из монокристаллического сапфира с кремниевыми пленочными тензорезисторами, прочно соединенная с металлической мембраной. [4]
Изменение сопротивления тензорезисторов обычно определяют с помощью мостовой схемы, в которой одно, два или четыре плеча образованы тензорезисторами. Мостовая схема питается переменным током, частота которого значительно выше наибольшей из измеряемых частот вибрации. [5]
Изменение сопротивления тензорезисторов объясняется двумя факторами: изменением его геометрических размеров и удельного сопротивления материала при деформации. [6]
Рассмотрим изменение сопротивления тензорезистора от влияния температуры и давления. [7]
 |
Режимы нагружения образцов с прикрепленными тензорезисторами. [8] |
Определить эту величину изменения сопротивления тензорезистора возможно, видимо, только экспериментально. Сведений об исследованиях по данному вопросу в литературе не имеется. [9]
Законы преобразования линейной деформации в изменение сопротивления тензорезисторов [ б / 2 ( л:) ] достаточно подробно изложены в технической литературе [32, 43, 53] и в предыдущей главе книги. Менее изучены свойства и характеристики упругих элементов, осуществляющих первичное преобразование физических величин в линейную деформацию, воспринимаемую далее проволочными, фольговыми или полупроводниковыми тензорезисторами. Вид упругого элемента преобразователя: балка, мембрана, пружина различной жесткости и др. - определяет назначение преобразователя в целом, а деформируемость и частотные свойства упругого элемента - чувствительность преобразователя и применимость его для исследования динамических процессов. [10]
 |
Преобразователи комплекса Сапфир. [11] |
Встроенное электронное устройство первичного преобразователя обеспечивает преобразование изменения сопротивления тензорезисторов в токовый выходной сигнал. Блок БПЗ-24 выполнен в виде отдельного устройства, смонтированного во взрывобезопасном помещении. [12]
Следует отметить, что отсутствует четкая теория о влиянии давления на изменение сопротивления тензорезисторов, поэтому недостаточно точна и оценка погрешности измерения деформаций в условиях давления. [13]
Действие разности давлений вызывает прогиб мембран 8, мембраны тензомодуля 4, изменение сопротивления тензорезисторов. [14]
 |
Мостовая схема включения тен-зорезисторов. [15] |
Страницы: 1 2 3