Изменение - поверхностное сопротивление
Cтраница 1
Изменение поверхностного сопротивления, происходящее при появлении конденсата, позволяет получить электрический сигнал, который используется в системе регулирования температуры пластины для поддержания ее на уровне точки росы. Для этого же можно использовать поглощение а - или ( 3-излучения радиоактивного изотопа малой энергии. Изменение величины поглощения или отражения проникающего излучения также несложно применить в системе регулирования температуры пластины. [1]
Применение четырехзондового метода для изменения поверхностного сопротивления слоев, изолированных р-л-лер еходом, основано на предположении, что в процессе измерений происходит самозапирание р-л-перехода. С увеличением приложенного к зондам напряжения, а следовательно, и тока возрастает обратное смещение р-л-перехода и происходит расширение области пространственного заряда. Этот эффект уменьшает толщину слоя тем значительнее, чем выше удельное сопротивление слоя по сравнению с подложкой. Изолирующие свойства р-л-перехода сохраняются лишь до некоторых допустимых значений тока через зонды, после чего возникают токи утечки через р-л-переход. Шунтирующее действие подложки может проявиться при прокалывании металлическим зондом тонкого эпитаксиального слоя. Чтобы избежать погрешностей измерения из-за токов утечки, рекомендуется проводить измерения при таких токах через измерительные зонды, при которых значение измеряемого поверхностного сопротивления не зависит от них. [2]
Степень увлажнения загрязняющего слоя характеризуется изменением поверхностного сопротивления, измеряемого в специальных камерах искусственного тумана. [3]
При употреблении ПЭНД в электротехнических целях важны изменения поверхностного сопротивления, поскольку глубина модифицированного слоя достигает сотен тысяч ангстрем. [4]
Смачиваемость поверхности пластмасс обычно определяют измерением величины краевого угла, образующегося на границе раздела твердое тело - вода, или по изменению поверхностного сопротивления в зависимости от влажности окружающей среды. [5]
Бокрис, Кахан и Стонер [458] в 1969 г. усовершенствовали метод и рассмотрели относительные преимущества работы с очень тонкой проволокой или тонкой напыленной пленкой, Пленка оказалась более чувствительной к изменению поверхностного сопротивления при адсорбции. [6]
Одинаковые случайные погрешности были получены во всех случаях, в то время как знак и величина систематической погрешности менялись от маски к маске; эти результаты не включают случайную погрешность 2 %, вызванную изменениями поверхностного сопротивления. [7]
 |
Зависимость ТКС от поверхностного сопротивления для пленок различных кррметов. [8] |
Предельная температура, при которой пленки Cr - SiO могут быть выдержаны без изменений длительный период, достигает 500 С. Выше этой температуры изменения поверхностного сопротивления становятся менее предсказуемыми, хотя пленки сохраняют свою сплошность до температур не менее 900 С. Предполагается, что эта потеря управляемости связана с нестабильностью соединения Cr3Si [68] выше 500 С. Полученные пленки имели удельное сопротивление порядка 10 мкОм - см с ТКС, близким к нулю: по-видимому, их-можно использовать до температур не менее 500 С. [9]
Достижение влажностного равновесия определяется по изменению поверхностного сопротивления кристалла; для оценки влажности используются показания термометра, измеряющего температуру перехода. [10]
Она представляет собой многоступенчатый делитель напряжения. Если одновременно изменить в одинаковое число раз сопротивления R и R, что соответствует изменению поверхностного сопротивления пленки, коэффициент деления при постоянном токе останется неизменным. [12]
 |
Зависимость ТКС нескольких нихромовых пленок разного состава от их поверхностного сопротивления. [13] |
Он же установил, что ТКС подобных пленок изменяется в гораздо меньших пределах, чем ТКС пленок, полученных методом взрывного испарения. На рис. 3 показано изменение относительного сопротивления пленок, полученных обоими методами, в зависимости от изменения поверхностного сопротивления. Для пленок, полученных методом напыления в вакууме, наблюдается небольшое уменьшение относительного сопротивления при значениях поверхностного сопротивления ниже 10 Ом / Q. Выше этой величины наблюдается некоторое увеличение относительного сопротивления, а затем кривая быстро идет вверх. Пленки, полученные катодным распылением, имо ют простую характеристику, но у них рост относительного сопротивления происходит несколько быстрее, а кроме того, при больших значениях поверхностного сопротивления наблюдаются значительные отклонения отдельных значений от результирующей кривой. [14]
В описанных устройствах кристаллы находятся в термическом равновесии с исследуемым газом. Достижение влажностного равновесия определяется по изменению поверхностного сопротивления кристалла; для оценки влажности используются показания термометра, измеряющего температуру перехода. [15]
Страницы: 1 2