Сульфид - таллий
Cтраница 3
Еще влажную бумагу держат несколько минут над стаканом с теплым многосернистым аммонием ( на бумаге осаждается черный сульфид таллия), затем быстро промывают и высушивают в токе подогретого воздуха. [31]
Соединения со структурой типа структуры селенида таллия TISe, в которой кроме TISe кристаллизуются теллурид индия и сульфид таллия. [32]
В присутствии большого количества ионов таллия нужно осадить ионы меди и таллия сульфидом натрия и затем растворить сульфид таллия в подходящей мине ральной кислоте, принимая во внимание, что сульфид меди хорошо растворяется только при нагревании с азотной кислотой. Если ионов таллия мало, то лучше осадить медь на платине методом внутреннего электролиза, используя в качестве катода платину, а для анода - никель. [33]
Серу, растворенную в органических растворителях, также можно обнаружить путем нанесения капли раствора на бумагу, содержащую сульфид таллия, которую затем обрабатывают разбавленной кислотой. [34]
Фотоэлемент с внутренним фотоэффектом действует на основе явления изменения сопротивления некоторых полупроводников и изоляторов, таких, как таллофид-сплав сульфида таллия с окисью таллия, сульфид свинца, селен и др., под действием света соответствующей длины волны. [35]
Ширина запрещенной зоны, изменяющаяся в пределах 0 5 - 1 5 30 и подходящая для изготовления выпрямителей и полупроводниковых триодов, наблюдается у селенида индия теллурида галлия и сульфида таллия. Ширина запрещенной зоны 1 5 - 2 5 эв, необходимая для изготовления фотоэлементов, наблюдается у теллурида алюминия, селенида галлия и сульфида индия. Соединения с наивысшей шириной запрещенной зоны ( сульфиды галлия и алюминия, а также селенид алюминия) пригодны для изготовления электролюминес-цетных материалов. Способ приготовления заключается в сплавлении смеси компонентов в вакуумированной кварцевой ампуле при температуре - 1100 С. Полученные таким образом соединения - CuInSe2, AgInSe2, Agin Те2 - имеют ширину запрещенной зоны 0 9; 0 9; 1 2 эв соответственно. Указывается, что материал должен быть получен в монокристаллическом виде, например, зонной плавкой. [36]
В присутствии иона меди, который окисляет иодид-ион реактива до элементарного иода, сильно поглощающего ультрафиолетовые лучи и мешающего открытию иона таллия, его осаждают совместно с таллием сульфидом натрия, а затем растворяют сульфид таллия в соляной или серной кислоте. Если иона таллия мало, то лучше отделять медь электролизом. [37]
Галлий и индий служат легирующими добавками к германию и кремнию, используемым для полупроводниковых выпрямителей. Сульфид таллия ( I) T12S обладает полупроводниковыми свойствами. Он необходим также для изготовления фотоэлементов. [38]
При веществах, не содержащих больших количеств тяжелых металлов, может быть пригодно осаждение таллия в виде сульфида. Сульфид таллия ( I) ( произведение растворимости 10 24) количественно осаждается в нейтральной или аммиачной среде. [39]
По охлаждении осадок отфильтровывают и промывают разбавленным раствором сульфида аммония ( бесцветным), следя за тем, чтобы фильтр все время оставался влажным. Сульфид таллия растворяют в разбавленной ( 1: 4) серной кислоте, раствор кипятят до удаления сероводорода, затем вводят несколько капель сернистой кислоты, нейтрализуют карбонатом натрия, фильтруют, если нужно, и осаждают таллий, как указано в разделе Методы определения ( стр. [40]
По охлаждении осадок отфильтровывают и промывают разбавленным раствором сульфида аммония ( бесцветным), следя за тем, чтобы фильтр все время оставался влажным. Сульфид таллия растворяют в разбавленной ( 1: 4) серной кислоте, раствор кипятят до удаления сероводорода, затем вводят несколько капель сернистой кислоты, нейтрализуют карбонатом натрия, фильтруют, если нужно, и осаждают таллий, как указано в разделе Методы определения ( стр. [41]
Из образцов, не содержащих больших количеств тяжелых металлов, таллий можно осадить в виде сульфида. Сульфид таллия ( 1) ( / СПр 10 - 24) количественно осаждается из нейтральных или аммиачных растворов. [42]
Как и индий, таллий образует с мышьяком, сурьмой и германием соединения с полупроводниковыми свойствами. Сульфид таллия, подобно арсениду индия, может служить детектором инфракрасного излучения. [43]
 |
Системы хлорид-бромид ( а и бромид-иодид таллия ( I ( б. [44] |
Входит в состав различных полупроводников, в частности стеклообразных, содержащих наряду с таллием мышьяк, сурьму, селен и теллур. Сульфид таллия применяется для изготовления фотосопротивлений, чувствительных в инфракрасной области спектра, в которых действующим веществом является один из продуктов окисления сульфида - T12SO2, так называемый таллофид. Радиоактивный изотоп 204Т1 применяется в качестве источника 0-излучения ( период его полураспада - 4 года) в приборах, контролирующих производственный процесс. Например, такими приборами измеряют толщину движущихся полотен бумаги или ткани. Этот же изотоп, как ионизирующее воздух вещество, используется в приборах для снятия статического заряда, возникающего при трении движущихся частей машин. [45]
Страницы: 1 2 3 4