Cтраница 1
Шунтирующее влияние емкости С0 оценивается величиной постоянной времени усилителя на верхних частотах тгв R0Qf, Обычно эта величина имеет порядок Ю - - Ю - сек. [1]
![]() |
Две схемы включения корректирующей индуктивности.| Эквивалентная схема усилителя с параллельной коррекцией. [2] |
Для уменьшения шунтирующего влияния емкости С применяют включение корректирующей индуктивности. [3]
Для водных растворов шунтирующим влиянием емкости Ст можно пренебречь, так как сопротивление этой емкости значительно выше истинного сопротивления раствора и не вызывает ошибок в измерении электропроводности. Однако при кондуктометрических измерениях в неводных средах шунтирующее сопротивление Сг может быть одного порядка с измеряемым сопротивлением, что может привести к ошибкам. [4]
В области верхних час-тот шунтирующее влияние емкостей С22 и Сн возрастает и его необходимо учитывать. [5]
При дальнейшем увеличении частоты возрастает шунтирующее влияние емкости Сг, и коэффициент усиления уменьшается. [6]
![]() |
Две схемы включения корректирующей индуктивности.| Эквивалентная схема усилителя с параллельной коррекцией. [7] |
Уменьшая величину сопротивления К Яа можно уменьшить шунтирующее влияние емкости С и расширить полосу пропускания усилителя, однако при этом уменьшится усиление. [8]
При повышении частоты Q модулирующего напряжения коэффициент передачи детектора уменьшается из-за шунтирующего влияния емкости конденсатора фильтра Сф. При некотором значении частоты QQ, удовлетворяющем условию tt RHC l, коэффициент передачи достигает значения К0 7, а частота Q является верхней граничной частотой полосы пропускания детектора. [9]
На частоте 400 Гц Хс1 / ( 2я / С) 100 МОм и шунтирующее влияние емкости практически отсутствует. На частоте 400 МГц Хс 100 Ом и емкость сильно шунтирует диод. [10]
![]() |
Антифединговая антенна расширенного диаяазоиа. [11] |
Это происходит по двум причинам: во-первых, потому, что сечение антенны-мачты очень велико по сравнению с проводом, и, во-вторых, из-за шунтирующего влияния емкости опорного изолятора. Емкость эта оказывается включенной параллельно входному сопротивлению самой антенны и изменяет его величину. Это влияние сильнее на тех частотах, где сопротивление антенны велико. [12]
В резонансном усилителе входная емкость, емкость соединительных проводников и выходная емкость компенсируются настройкой контура в резонанс, поэтому сопротивление нагрузки, равное эквива-летному сопротивлению контура, может быть большим и обеспечивает большое усиление, Резисторный усилитель вследствие шунтирующего влияния емкостей на очень высоких частотах не дает усиления. [13]
Одновременно можно пренебречь шунтирующим влиянием емкости С0, поскольку на низкой частоте ее сопротивление велико. В этой схеме усиление зависит от индуктивного сопротивления oLb которое с понижением частоты уменьшается. Выходное напряжение и усиление каскада уменьшаются. [14]
Одновременно можно пренебречь шунтирующим влиянием емкости С о, поскольку на низкой частоте ее сопротивление велико. В этой схеме усиление зависит от индуктивного сопротивления coZ / i, которое с понижением частоты уменьшается. При этом ток в анодной цепи возрастает, увеличивается падение напряжения на внутреннем сопротивлении лампы Ri. Выходное напряжение и усиление каскада уменьшаются. [15]