Cтраница 3
Если среди исходных факторов есть группа зависимых между собой, то приходится пользоваться коэффициентом множественной корреляции, показывающим связь функции с группой взаимосвязанных аргументов. Иногда пользуются частным коэффициентом корреляции, который в отличие от обычного коэффициента корреляции определяет в чистом виде связь двух факторов, исключая влияние третьего ( или группы) связанного с ними фактора. При этом сумма квадратов коэффициентов влияния всех зависимых факторов не будет равна единице. [31]
Главная цель данного раздела состоит в том, чтобы показать, как величины параметров взаимодействия определяют природу адсорбированных частиц и способ возникновения компенсирующего заряда в кристалле. Для этого следует учесть два общих вывода, следующих из теории молекулярных орбит. Известно, во-первых, что если к идеальному кристаллу, содержащему N электронных уровней, приблизить водородоподобный инородный атом, то комбинированная система будет иметь N уровней, каждый из которых способен вместить два электрона. Во-вторых, сумма квадратов коэффициентов волновых функций с ( т) для всех N 1 уровней равна единице для всех атомов, включая и инородный атом. Если на каждом из N уровней находится по два электрона, то это значит, что инородный атом существует на поверхности как анион. Конечно, для того чтобы достигнуть заполнения каждого из имеющихся уровней двумя электронами, следует добавить в систему один избыточный электрон. Сказанное справедливо для кристалла полупроводника р-типа либо потому, что он содержит примеси, либо из-за его нестехиометричности. Число N должно, однако, включать только уровни нормальной зоны, но не дискретные уровни, лежащие непосредственно над ней и создающие полупроводниковую электропроводность р-типа в кристалле. Аналогичные соображения применимы и для полупроводников п-типа. [32]