Изменение - состояние - поверхность
Cтраница 1
Изменение состояния поверхности происходит медленно. При появлении тончайшей пленки влаги сухая атмосферная коррозия переходит во влажную, а при попадании капель - в мокрую атмосферную коррозию. [1]
Изменение состояния поверхности происходит медленно, однако при появлении тончайшей пленки влаги сухая атмосферная коррозия переходит во-влажную, а при попадании капель - в мокрую атмосферную коррозию. [2]
Изменения состояния поверхности в ходе процесса иллюстрируются характерными участками кривых анодной поляризации. На рис. III-7 показаны кривые для меди в растворе Н3РО4 плотностью 1 55 при 20 С и никеля в растворе H2SO4 плотностью 1 6 при 40 С. Первый участок кривых АВ соответствует активному состоянию поверхности металла. В этой области потенциалов происходит травление металла. Второй участок кривых ВС соответствует резкому самопроизвольному скачку потенциала анода в положительную область при одновременном уменьшении плотности поляризующего тока. [3]
 |
Катодные поляризационные кривые для железного электрода, предварительно подвергнутого ржавлению ( атмосфера воздуха. PQ 1 / 5 атм. [4] |
Такое изменение состояния поверхности должно сказаться на ходе поляризационной кривой, например, на величине предельного тока. [5]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [6] |
Другой причиной изменения состояния поверхности, характерной для пленарных транзисторов, является движение ионов щелочных металлов в слое оксида, особенно заметное при подаче напряжения и высокой температуре. [7]
Другой причиной изменения состояния поверхности, характерной для пленарных транзисторов, является движение ионов щелочных металлов в слое окисла, особенно заметное при подаче напряжения и высокой температуре. [8]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [9] |
Другой причиной изменения состояния поверхности, характерной для план арных транзисторов, является движение ионов щелочных металлов в слое окисла, особенно заметное при подаче напряжения и высокой температуре. [10]
Качественная картина изменения состояния поверхности подтверждена данными по микротвердости. Микротвердость резин на основе СКН с повышением контактной температуры увеличивается, - а микротвердость резин из СКЭП уменьшается. [11]
Основным результатом изменения состояния поверхности ППП является рост обратного тока у диодов и рост неуправляемых обратных токов ( / Кбо, / эво, / кэо) у транзисторов и реже изменение коэффициента передачи тока базы ( р или В) у транзисторов. В некоторых случаях наблюдается также изменение пробивных напряжений переходов и времени рассасывания накопленного заряда носителей тр. [12]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [13] |
Одной из причин изменения состояния поверхности, вызывающей изменения параметров транзисторов, является наличие следов влаги в баллоне. Особенно сильно это сказывается на параметрах сплавных транзисторов. Стабильность параметров существенно улучшается, когда в корпусе помещается влагопоглотитель ( цеолит), но даже такая мера иногда может быть недостаточно эффективной, если прибор подвергается циклическим изменениям температуры. При этом происходит перераспределение влаги между влагопоглотителем и поверхностью полупроводника, что достаточно для изменения параметров транзистора. [14]
Одной из причин изменения состояния поверхности, вызывающей изменения параметров транзисторов, является наличие следов влаги в баллоне. Особенно сильно это сказывается на параметрах сплавных транзисторов. Стабильность параметров существенно улучшается, когда в корпусе помещается влагопоглотитель ( цеолит), но даже такая мера иногда может быть недостаточно эффективной, если прибор подвергается циклическим изменениям температуры. При этом происходит перераспределение влаги между влагопоглотителем и поверхностью полупроводника, что достаточно для изменения параметров транзистора. [15]
Страницы: 1 2 3 4