Изменение - степень - заполнение
Cтраница 1
Изменение степени заполнения в интересующем нас интервале потенциалов можно получить, ступенчато изменяя потенциал и регистрируя токи в переходный период. Этот метод наиболее удобен для систем, в которых ток медленно изменяется с потенциалом. Изменение степени покрытия с потенциалом точнее всего можно определить для электродов, на которых квазиравновесная первичная стадия разряда ионов протекает быстро, а последующая стадия десорбции является лимитирующей и степень заполнения поверхности которых адсорбированными промежуточными частицами имеет средние значения. На таких электродах плотность тока обмена для стадии разряда значительно превышает плотность тока обмена для последующей стадии десорбции. [1]
Изменение степени заполнения глубокого уровня электронами влечет за собой изменение плотности объемного заряда структуры, толщины обедненного слоя при постоянном обрат-юм напряжении и, как следствие, емкости структуры. [2]
 |
Гидромуфта с дроссельной шайбой Е. [3] |
Изменение эффективной мгновенной степени заполнения в рабочей полости с изменением ц может быть достигнуто также другими способами. В данном разделе должна быть рассмотрена система с дроссельной шайбой. [4]
Время изменения степени заполнения при подаче жидкости в передачу в основном определяется производительностью насоса, подающего жидкость. При опорожнении это время во многом зависит от параметров передачи и конструктивного оформления места отвода жидкости. [5]
Нами исследовано изменение степени заполнения поверхности стекла, обработанного растворами метилтрихлорсилана в зависимости от их концентрации. [7]
Авторами изучено изменение степени заполнения поверхности стекла, обработанного растворами метилтри-хлорсилана в зависимости от их концентрации. Образцы предварительно выдерживались в гигростате с влажностью 98 %, после чего прогревались при 70 С. [8]
Наряду с изменением степени заполнения примесных центров происходит повышение концентрации свободных носителей, и как следствие, дополнительное экранирование заряда рассеивающих центров. Вследствие этого действие рассеивающих центров ослабляется и подвижность носителей возрастает. Соответственно уменьшается рассеяние на ионизированных центрах и подвижность инжектированных носителей увеличивается с ростом их концентрации в полупроводнике. [9]
Такое ограничение при изменении степени заполнения наступает по ряду причин. [10]
На рис. 27 показано изменение степени заполнения поверхности цинкового катода молекулами октилового спирта во времени. Наклон кривых характеризует скорость адсорбции октилового спирта на поверхности цинка. Как видно из рисунка, скорость адсорбции вначале значительна, а затем уменьшается. При сравнении кривых 1 - 3, полученных в растворах различной концентрации октилового спирта, видно, что с увеличением концентрации спирта в растворе величина адсорбции и скорость адсорбции увеличиваются. При продолжительности перерыва т больше 5 мин. [11]
На рис. 52 показано изменение степени заполнения поверхности цинкового катода молекулами октилового спирта со временем. Наклон кривых изменения активной поверхности 5акт со временем характеризует скорость адсорбции октилового спирта на поверхности цинка. Как видно, скорость адсорбции в начале значительна, затем уменьшается. При сравнении кривых 1 2 и 3, полученных в растворах различной концентрации октилового спирта, видно, что с увеличением концентрации величина адсорбции увеличивается. Если продолжительность перерыва т сделать больше 5 мин. [12]
При увеличении загрузки происходит лишь изменение степени заполнения, а время пребывания материала не меняется. [13]
 |
Монтаж регуляторов заполнения испарителей - ТРВ ( а и реле уровня ( б. [14] |
В схемах с одним испарителем изменение степени заполнения испарителя приводит к изменению других параметров: уровня жидкости и давления в конденсаторе, давления в испарителе. [15]
Страницы: 1 2 3 4