Cтраница 1
Существование дырок в полупроводнике обусловлено тем, что электроны в нем в отличие от металлических проводников сильно связаны с ионами. Электроны в полупроводнике могут находиться не в любых, а только в некоторых состояниях, которым соответствуют определенные значения энергии и скорости. Изменение скорости электрона представляет собой переход его из одного состояния в другое. Чтобы этот переход мог произойти, второе состояние не должно быть занято другим электроном. Всякий электрон, переходя в другое состояние, освобождает свое место для другого электрона. Такие не занятые электронами возможные состояния и называются дырками. [1]
Существование дырок в полупроводнике обусловлено тем, что электроны в нем в отличие от металлических проводников сильно связаны с ионами. Электроны в полупроводнике могут находиться не в любых, а только в некоторых состояниях, которым соответствуют определенные значения энергии и скорости. Изменение скорости электрона представляет собой переход его ив одного состояния в другое. Чтобы этот переход мог произойти, второе состояние не должно быть занято другим электроном. Всякий электрон, переходя в другое состоя - ние, освобождает свое место для другого электрона. Такие не занятые электронами возможные состояния и называются дырками. [2]
Возможно ли существование дырок в металлических проводах внешней цепи с ЭДС, подключенной к полупроводнику. [3]
Поскольку эффективное время существования дырок т, зависит от состояния поверхности базы, величина и длительность импульса будут зависеть от количества влаги на поверхности. [4]
С учетом этого корреляцию между валентными электронами внутри такого кристалла можно хорошо объяснить при помощи определенного допущения о существовании дырки, сосредоточенной вблизи каждого электрона и перемещающейся вместе с ним, причем из области расположения этой дырки исключены все другие валентные электроны. Возникает вопрос, что же происходит с этой дыркой вблизи поверхности. Когда электрон покидает кристалл, он оставляет принадлежавшую ему обменную и корреляционную дырку. Это вызывает повышение потенциальной энергии такого электрона. [6]
Таким образом, появление в кремнии атома фосфора привело к образованию в зоне проводимости свободного электрона, образование которого не связано с существованием дырки. [7]
При однодетерминантном описании не существует корреляции между электронами с разными спинами, но вероятность обнаружения двух электронов с одинаковым спином в точке г равна нулю. Это называется ферми-корреляцией электронов и приводит к существованию дырки Ферми. Установлено, что дырка Ферми глубже куло-новской дырки ( см., например, [369]), но не имеет каспа. Корреляция электронов с одинаковым спином следует антисимметричности волновой функции. [8]
Будем также считать, как мы уже говорили, что существование зародышевой дырки в области s фактически не изменяет флуктуации числа молекул Д / V / и ДЛ, а также флуктуации свободной энергии & FNj, AFN, AFint. [9]
![]() |
Распределение потенциала в р - п - р-транзисторе. [10] |
Отсюда непосредственно видно, на какой компромисс приходится идти при конструировании диодов. Если необходимо, чтобы диод был достаточно быстродействующим, то время существования дырок должно быть уменьшено, например путем введения примесей, действующих как центры рекомбинации. С другой стороны, уменьшение времени жизни дырок уменьшает диффузионную длину, и в соответствии с (8.12) это приводит к возрастанию обратного тока. [11]
Эта теория основывается на физико-химических представлениях. Пространство для скачков атомов жидкости при ламинарном движении обеспечивается предположением о существовании дырок, принятым Эйрингом, причем атомы в жидкости отстоят друг от друга на большем расстоянии, чем при их наиболее плотном расположении в кристаллических решетках. [12]
При работе триода неосновные носители, введенные в область основания, - перемещаются во всех направлениях, так как в основании интенсивность электрического поля мала. До рекомбинации они успевают свободно рассеяться на расстояние L от места их ввода, называемое диффузионным смещением. Время существования дырок в германии составляет от 1 мксек до нескольких тысяч микросекунд, а соответствующие ему значения L могут колебаться от нескольких сотых долей миллиметра до нескольких миллиметров. Так как расстояние между эмиттером и коллектором триода очень мало, значительная часть дырок, попавших в я-область германия из эмиттера, успевает достичь n - p - перехода коллектора и резко увеличить его обратную проводимость. [13]
Что называют дрейфовым током. Что называют диффузионным током. Возможно ли существование дырок в металлических проводах внешней цепи с ЭДС, подключенной к полупроводнику. Что понимают под теоретическим и техническим направлениями токов. [14]
И структура С1 и частная решетка структуры DO3 дают две координации: 8 - для атома Цинтля и 4 - для металлического атома. Если для последнего принять тетраэдрический радиус Полинга, то длины связи в бинарных соединениях IJjIV ( какими являются Mg2Sn) позволяют рассчитать кубические радиусы элементов IV группы и можно допустить, что радиусы свинца и висмута равны для координации 8, как они равны для координации 4, потому что речь идет об одном типе орбит. Тогда частные случаи решетки [ bV ] позволяют получить Liiv и Sbvin и бинарные соединения bVI дополняют тетраэдриче-ские радиусы щелочных металлов и дают кубические радиусы для элементов VI группы. При помощи интерполяции можно получить радиусы PVIII и Asyin исходя из межатомных расстояний бинарных соединений DII3) V2 таких, как ZnsP2, и проследить, что нарушение, вызванное существованием дырки в структуре С /, мало. [15]