Существование - неосновной носитель
Cтраница 1
Существование неосновных носителей имеет очень большое значение для создания полупроводниковых приборов, способных усиливать сигналы или выполнять некоторые другие функции. [1]
Ясно, что работа транзистора зависит от продолжительности существования неосновных носителей ( дырок в я-областях, электронов в р-областях) до их рекомбинации. Именно необходимость продлить срок жизни носителей и привела к прогрессу в технологии очистки германия и кремния и кристаллизации этих материалов без дислокаций. Отметим, что в транзисторе р-п - р наибольшее значение имеют положительные дырки. И, наоборот, в транзисторе п-р - п, работа которого может быть легко выведена из предыдущего, это место займут электроны, подвижности которых выше. [2]
В весьма быстродействующих переключателях необходимо использовать тонкие базовые области, причем время существования неосновных носителей должно быть малым. При изготовлении приборов по варианту а легче получить очень тонкие базовые области, так как исходная пластинка кремния может быть выбрана значительно толще базовых областей. [3]
 |
Зависимость емкости диода Сзар от величины обратного смещения. [4] |
Диффузионная емкость СДИф, связанная с переходом неосновных носителей, зависит от режима, времени существования неосновных носителей и частоты подводимого к диоду напряжения. С увеличением частоты диффузионная емкость резко падает, и в диапазоне сверхвысоких частот ею практически можно пренебречь. [5]
 |
Зависимость напряжения включения от температуры для переключающих приборов, изготовленных из германия с удельным сопротивлением 1 8 ом-см ( О и 4 5 ом-см (. Диаметр перехода 2 мм. [6] |
Величина тока включения прибора зависит от многих технологических факторов, таких как продолжительность процесса диффузии, концентрация мышьяка на поверхности пластинки, глубина вплавления алюминия, толщина обеих центральных областей прибора, значение времени существования неосновных носителей. Однако при заданных размерах прибора технологический процесс может быть построен таким образом, чтобы величина тока включения находилась в определенном диапазоне - Способы регулирования величины тока включения были найдены экспериментально. [7]
Подвижность цр зависит от параметров используемого полупроводникового материала. Время существования неосновных носителей тр может изменяться ча несколько порядков и является основной независимой переменной. [8]
Дырки, введенные в / г-область, являются неосновными носителями в этой области. Так как время существования неосновных носителей ограничено величиной времени жизни г, являющейся параметром материала, то и среднее расстояние, проходимое неосновными неравновесными носителями, будет ограничено диффузионной длиной L. Концентрация впрыснутых дырок будет уменьшаться на протяжении - области и в непосредственной близости от правого перехода будет равна равновесной концентрации неосновных носителей. [9]
При токе / 1 отрицательное сопротивление становится очень большим ( область / / /) и прибор включается. Небольшие значения отрицательного сопротивления ( область / / i) наблюдаются при величине тока, проходящего через прибор, в пределах от 10 - 7 а до приблизительно 10 - 3 а - Верхний предел этого участка соответствует току включения прибора 1, величина которого растет с увеличением площади перехода прибора и с возрастанием толщины базовых областей. Величина тока включения прибора снижается с возрастанием времени существования неосновных носителей в материале базы. [10]
Для легирования используют и др. элементы ( напр. Это позволяет получать материалы с высоким электр. К) и небольшой продолжительностью существования неосновных носителей зарядов, что важно для увеличения быстродействия различных устройств. [11]
 |
Принцип действия полупроводникового лазера на основе р - л-пе-рехода и отсутствие смещения ( а и при смещении в прямом направлении ( 6. [12] |
По существу, при смещении в прямом направлении происходит инжек-ция в активный слой электронов из зоны проводимости материала л-типа и дырок из валентной зоны материала р-типа. Как только электрон достигает материала р-типа, он становится неосновным носителем и диффундирует до тех пор, пока не ре-комбинирует с дыркой в валентной зоне. Поэтому толщина активной области d приблизительно равна среднему расстоянию, проходимому электроном до рекомбинации с дыркой. Согласно теории диффузии, толщина d дается выражением d - / Dr, где D - коэффициент диффузии, а т - среднее время существования неосновного носителя до рекомбинации. [13]
Страницы: 1