Cтраница 1
Активная и реактивная составляющие наведенного тока в диоде, работающем в режиме ограничения тока пространственным заряддм. [1] |
Существование области с отрицательной активной проводимостью указывает на возможность использования диода для создания самовозбуждающегося генератора; однако исследование таких генераторов показало, что практической ценности они не имеют. [2]
Существование области I может быть связано с исчезновением вакансий при закалке, так как скорость закалки очень мала. Отсутствие области I при большей скорости закалки подтверждает это предположение. В области II увеличение предела текучести приблизительно пропорционально концентрации закаленных вакансий. Особенности поведения образцов в области III объясняются уменьшением концентрации дивакансий. Как было найдено Бауэрли и Келером и объяснено Келером, Кимура и др., концентрация дивакансий в золоте, закаленном с температуры ниже 750 С, в этой области невелика. Меши и Кауфман считают, что моновакансии должны быть чрезвычайно подвижными вдоль дислокационной линии, чтобы они могли быстро аннигилировать на порогах дислокаций и, следовательно, не вносить заметного вклада в упрочнение. Дивакансий более подвижны в совершенном кристалле, но вдоль дислокаций их перемещение может быть затруднено. Чтобы дивакансия могла перемещаться вдоль дислокации, одна из вакансий должна быть активирована для преодоления энергии связи с ядром дислокации. [3]
Существование областей определенности, зависимости и влияния позволяет во многих случаях проводить качественный анализ одномерных течений, не прибегая к решению описывающих их уравнений. [4]
Существование областей микрорасслаивания определяет наиб, ценные в практич. [5]
Существование области отрицательного сопротивления связывают с изменением коэффициента переноса и с величиной Д / с для коллектора; следовательно, изменяя напряжение на коллекторе, можно наблюдать этот эффект при различных токах эмиттера, что также подтверждается фиг. По мере увеличения напряжения на коллекторе и тока / со ( см. кривые / - 4 на фиг. [6]
Существование областей спонтанной намагниченности было доказано опытами Н. С. Акулова него сотрудников. Мелкий ферромагнитный порошок, взвешенный в жидкости, наносился в виде суспензии на хорошо отполированную поверхность ферромагнетика. [7]
Влияние условий роста на. [8] |
Существование области равновесной кристаллизации на диаграмме V-CL мы определяем по наличию участка совпадения неравновесной и равновесной кривых распределения в начальной части слитка. Это имеет большое методическое значение. Дело в том, что в литературе в подавляющем большинстве случаев исследуется зависимость коэффициента распределения от скорости кристаллизации. [9]
Существование области повышенного давления приводит также к возникновению обратных потоков в элементах с несколькими рядом расположенными каналами управления. Расход обратных потоков уменьшается по мере увеличения сопротивления каналов управления. [10]
Области намагничения.| Скачкообр з-ное нарастание намагничения ферромагнетика. [11] |
Существование областей самопроизвольного намагничения доказывается также скачкообразным ходом кривых намагничения в слабых полях. При медленном возрастании внешнего поля намагничение ферромагнетика в области крутого подъема кривой намагничения возрастает скачкообразно ( рис. 225), Это происходит благодаря внезапному изменению ориентации намагничения отдельных областей. [12]
Существование области безопасных дефектов подтверждается рядом экспериментальных результатов. [13]
Существование области критической деформации в настоящее время не подлежит никакому сомнению. [15]