Cтраница 1
Существование дальнего порядка со всеми его дефектами является важнейшим признаком кристаллического состояния вещества. В стеклах и жидкостях, как правило, дальнего порядка нет, а ближний ограничивается первой, изредка второй координационными сферами. [1]
Очевидно, что существование дальнего порядка предполагает и наличие ближнего порядка. Поэтому можно сказать, что в кристаллах существуют и ближняя, и дальняя упорядоченности. При их плавлении дальняя упорядоченность исчезает и остается только ближняя упорядоченность. В связи с отсутствием дальней упорядоченности единственным количественным способом описания структур жидкостей ( по крайней мере в настоящее время) является построение так называемых кривых радиального распределения. [2]
Существование трансляционной симметрии эквивалентно существованию дальнего порядка в расположении атомов. [3]
Наличие спонтанного намагниченья определяется существованием дальнего порядка в системе. [4]
Основной же особенность строения сплавов типа железо - кобальт является возможность существования частичного дальнего порядка. Такой частичный дальний порядок может существовать только в отношении распределения атомов железа или кобальта, но не в отношении расположения центров атомов. [5]
Основной же особенностью строения сплавов типа железо - кобальт является возможность существования частичного дальнего порядка. Такой частичный дальний порядок может существовать только в отношении распределения атомов железа или кобальта, но не в отношении расположения центров атомов. [6]
Однако для таких сдвигов достаточно изменений в ближнем порядке и не обязательно существование дальнего порядка. [7]
В этом месте, может быть, полезно кратко рассказать, каковы должны были бы быть последствия существования обычного дальнего порядка с точки зрения рассеяния рентгеновских лучей. [8]
Существование металлов, полупроводников и диэлектриков, как известно, объясняется зонной теорией твердых тел, полностью основанной на существовании дальнего порядка. Открытие того, что аморфные вещества могут обладать теми же электрическими свойствами, что и кристаллические, привело к переоценке роли периодичности. В 1960 г. А. Ф. Иоффе и А. Р. Регель высказали предположение, что электрические свойства аморфных полупроводников определяются не дальним, а ближним порядком. На основе этой идеи была развита теория неупорядоченных материалов, которая позволила понять многие свойства некристаллических веществ. Большой вклад в развитие физики твердых тел внесли советские ученые А. Ф. Иоффе, А. Р. Регель, Б. Т. Коломиец, А. И. Губанов, В. Л. Бонч-Бруевич и др. Губановым впервые дано теоретическое обоснование применимости основных положений зонной теории к неупорядоченным веществам. [9]
Этого рода явления специально исследуются в физико-химической теории реальных кристаллов с привлечением идей статистической термодинамики ( см. гл. Существование дальнего порядка со всеми его дефектами является важнейшим признаком кристаллического состояния вещества. [10]
В полимерах простейшими самостоятельными элементами в структурном смысле являются сегмент и макромолекула, поэтому при характеристике структурообразования необходимо уточнить, по отношению к какому структурному элементу это делается. Возможны случаи существования дальнего порядка в полимерах тю отношению к сегментам при отсутствии такового для макромолекул. Область ближнего порядка в расположении макромолекул, соизмеримая с размерами последних, при достаточно высокой их молекулярной массе должна достигать больших размеров и сохранять асимметричность такого же порядка, как и в индивидуальных макромолекулах. Однако замедленный характер конформационных превращений макромолекул затрудняет образование такой структуры. [11]
В полимерах простейшими самостоятельными элементами в структурном смысле являются сегмент и макромолекула, поэтому при характеристике структурообразования необходимо уточнить, по отношению к какому структурному элементу это делается. Возможны случаи существования дальнего порядка в полимерах по отношению к сегментам при отсутствии такового для макромолекул. Соизмеримость сегментов с молекулами низкомолекулярных: вс-ществ позволяет считать, что области ближнего порядка в расположении сегментов должны иметь размеры, сравнимые с размерами роев в иизкомолекулярпых жидкостях или стеклах, а именно, не превышать величины нескольких межмолекулярных расстояний. Область ближнего порядка в расположении макромолекул, соизмеримая с размерами последних, при достаточно высокой их молекулярной массе должна достигать больших размеров и сохранять асимметричность такого же порядка, как и в индивидуальных макромолекулах. Однако замедленный характер конформационных превращений макромолекул затрудняет образование такой структуры. [12]
К началу шестидесятых годов были заложены основы для понимания оптических свойств кристаллических полупроводников. Они базировались на существовании дальнего порядка и сохранении fe - вектора, что приводило к появлению резких полос в спектрах, связанных с сингулярностями Ван Хова. [13]
Из нашего рассмотрения видно, сколь неправомерны могут оказаться такого рода аналогии ( в частности, утверждение, что валентная зона в LiH образована - состояниями иона Н -) и какое решающее влияние на свойства кристалла оказывает природа образующих его атомов и характер взаимодействия между ними. Из рассмотренного примера видно также, что это взаимодействие оказывает влияние на зону проводимости, состояния которой в теории твердого тела традиционно связывали с существованием дальнего порядка ( трансляционной симметрией), а не с атомной структурой кристалла. [14]
Термодинамическим анализом с использованием в качестве критерия значений парциального давления Na в работе [1 ] показано, что двухфазная область должна существовать в области твердых растворов на основе Fe между упорядоченным и неупорядоченным состоянием ( а и а) этого раствора. Эксперименты показали, что эта область лежит в интервале концентраций 2 5 - 11 3 % ( ат. Неупорядоченное состояние может сохраняться при закалке с высоких температур. В работе [2] подтверждается существование дальнего порядка в сплавах, содержащих до 8 % ( ат. [15]