Существование - поверхностное состояние
Cтраница 1
Существование поверхностных состояний, играющих роль поверхностных ловушек и центров рекомбинации, приводит к поверхностной рекомбинации. [2]
 |
Потенциальный барьер, обусловленный поверхностными состояниями. [3] |
Существование поверхностных состояний и пространственного заряда получило экспериментальное подтверждение в работах Бардина и его сотрудников, посвященных исследованию границы раздела германий - газ и германий-металл. [4]
 |
Зонная диаграмма поверхности электронного полупроводника с акцепторными поверхностными состояниями ( а и распределение заряда на поверхности ( б. [5] |
Существование поверхностных состояний предсказал Тамм и экспериментально подтвердили Шокли, Бардин и Браттэйн. [6]
Существование поверхностных состояний впервые было постулировано И. Таммом [11], и в той же самой работе им была выдвинута гипотеза о наличии поверхностных зон. [7]
Возможность существования поверхностных состояний была впервые рассмотрена Таммом [1], который пришел к выводу, что соответствующие им уровни лежат в запрещенной зоне. Можно предположить, что эти поверхностные состояния возникают различными путями. Предполагается, что число локализованных поверхностных состояний может соответствовать числу поверхностных атомов. Энергетические уровни, соответствующие этим поверхностным состояниям, могут быть или дискретными, или равномерно распределенными по всему промежутку между заполненной зоной и зоной проводимости. [8]
Впервые возможность существования локальных поверхностных состояний была показана И. Е. Таммом в 1932 г. Позднее было доказано, что в объемной кристаллической решетке поверхностные уровни расщепляются и образуют поверхностную зону. Поверхностная зона может частично перекрываться с объемными зонами. В результате появляется возможность перемещения электронов вдоль поверхности - поверхностная электропроводность. [9]
Образовавшийся в объеме полупроводника вследствие существования поверхностных состояний пространственный заряд может быть рассчитан, если известны величины Фй; Ф; пг. Для металлов эта величина имеет порядок 10 - 8 см, что является следствием меньшей плотности свободных носителей тока в полупроводниках. [10]
 |
Энергии адсорбции на различных металлах. [11] |
Дэвисон и Амос [21], а также Коутецкий [22] использовали метод МО ЛКАО ( аппроксимация сильной связи) для исследования существования поверхностных состояний в кристаллах твердых растворов с линейно изменяющимся составом. [12]
 |
Энергии адсорбции на различных металлах. [13] |
Дэвисон и Амос [21], а также Коутецкий [22] использовали метод МО ЛКАО ( аппроксимация сильной связи) для исследования существования поверхностных состояний в кристаллах твердых растворов с линейно изменяющимся составом. [14]
При отсутствии адсорбции влияние поверхности следует все-таки иметь в виду, хотя у молекулярных кристаллов оно проявляется совершенно по-другому, чем у металлов [92], в которых свободно движущийся в зоне проводимости электрон, прежде чем оторваться, должен преодолеть потенциальный барьер. Существование поверхностных состояний в некоторых полупроводниках, например германии и кремнии, хорошо известно [7]; было показано, что эти состояния могут оказывать влияние на различные свойства, в том числе на контактные потенциалы. Пикус [115] изучал фотоэмиссию с поверхностных слоев полупроводников и диэлектриков. Он установил, что в случае заполненных или полузаполненных поверхностных зон поверхностный фототек составляет значительную часть общего фототока полупроводника. [15]
Страницы: 1 2