Cтраница 1
Изменение температуры источника не сказывается на морфологии поверхности пленки, растущей на грани ( 111) GaAs. Фигуры роста отсутствуют и лишь изредка наблюдаются вицинали. С некоторые фигуры роста расположены в двойниковом положении, но выше ts число двойников уменьшается и поверхность приобретает слоистый характер. [1]
Если изменение температуры источника TQ не зависит от Т, то обе задачи являются усредненными и к ним могут быть применены методы, изложенные в гл. [2]
![]() |
Относительная интенсивность R дуговой и искровой линий кальция при разной температуре ( масштаб на оси ординат логарифмический. [3] |
При изменении температуры источника света сильно меняется относительная интенсивность спектральных линий, имеющих разные потенциалы возбуждения. На рис. 25 приведен один и тот же участок спектра железа, полученный с помощью источника света с разной температурой. [4]
![]() |
Интенсивность спектральных линий кремния при разной температуре.| Участок спектра. [5] |
При изменении температуры источника света сильно меняется относительная интенсивность спектральных линий, имеющих разные потенциалы возбуждения. На рис. 25 приведен один и тот же участок спектра железа, полученный с помощью источников света с разной температурой. [6]
![]() |
Кривые пропускания красного фильтра ( / и спектральной чувствительности человеческого глаза ( 2. [7] |
Так как при изменении температуры источника происходит перераспределение энергии в спектре его излучения, то используемый спектральный участок должен быть достаточно узким. Только в этом случае длина волны, которая определяет собой положение ак бы центра тяжести спектрального участка, остается достаточно неизменной. Такая длина волны получила название эффективной и обозначается через эф. [8]
Колебания напряжения питания также приводят к изменениям температуры источника излучения. Как это следует из выражения (2.16) и его анализа, относительные отклонения напряжения питания и температуры соизмеримы. [9]
Базирующаяся на этом исследовании модель описывает в дифференциальной форме изменение температуры источника под действием изменений нагрузки, условий стока теплоты и других независимых переменных. Модель обладает достаточной общностью в том отношении, что она не связана с какой-либо специфической конфигурацией тепловой трубы и позволяет описать условия регулирования в функциональном виде. Единственным ограничением, накладываемым на систему, является условие, что регулирование площади поверхности отвода теплоты осуществляется с помощью неконденсирующегося газа. [10]
![]() |
Условия возникновения динамической погрешности в термоприемниках. [11] |
Эти измерения направлены на оценку локальных тепловыделений по скорости изменения температуры источника теплоты и на определение коэффициентов теплопереноса по показателям тепловой инерции объекта. Оба вида оценок базируются на измерении температуры, изменяющейся во времени, при переходном тепловом режиме, инициированном скачкообразным изменением тепловой нагрузки. Но не только это очевидное требование определяет реальные трудности практических измерений: остается еще необходимость учета ряда вполне конкретных физических обстоятельств, искажающих конечный результат обсуждаемых косвенных измерений. [12]
Основной вклад в изменение величины поверхностной концентрации примеси N3 вносит изменение температуры источника диффузанта. Заметное влияние оказывает изменение расхода газов ( носителя диффузанта и окислителя), что, очевидно, приводит к изменению концентрации диффузанта в потоке. Увеличение расхода газа-носителя приводит к уменьшению концентрации диффузанта в потоке, а увеличение расхода газа-окислителя - к ее увеличению. [13]
Уравнения (5.49), (5.50) и (5.56) могут быть использованы для определения необходимых вариаций открытия клапана в соответствии с изменениями температуры источника тепла, чтобы поддерживать постоянными температуру конденсатора и тепловую нагрузку. Вычисления производятся в следующем порядке. Уравнение (5.56) можно затем использовать для вычисления минимального проходного сечения клапана, которое имеет место при максимальной в интервале регулирования температуре источника тепла. Абсолютно таким же образом можно вычислить максимальное открытие клапана при максимальной температуре источника тепла. [14]
![]() |
Изменение выходной мощно-сти ( а и температуры нагрева ( б источника питания в повторно-крат-ковременном режиме. [15] |