Схема - замещение - конденсатор
Cтраница 2
Соотношение (7.1.2) можно использовать только до тех частот, где емкостное сопротивление является определяющим и два других сопротивления схемы замещения конденсатора - резистивное и индуктивное ( рис. 7.3) еще не оказывают заметного влияния. [16]
Проводимость gn приходится учитывать в тех случаях, когда в конденсаторе имеются нзоляц. Все паразитные параметры схемы замещения конденсатора могут быть измерены. В В Ч диапазоне ( практически при / 10 Мгц) необходимо учитывать влияние паразитных элементов измерит, схем, в частности при применении куметров - паразитную индуктивность ветви настроечного конденсатора. Па частотах, превышающих 200 Мгц, из-за влияния паразитных элементов, схемы с сосредоточенными постоянными применяют очень редко и переходят к измерению с помощью измерит, липни и измерит. При этих методах измеряемое вещество заполняет нек-рый участок коаксиальной линии или волновода. Распределение напряжения вдоль линии между образцом и генератором полностью определяется входным сопротивлением участка с образцом. В свою очередь, параметры образца и участка линии за образцом полностью характеризуют входное сопротивление участка. [17]
 |
Плоский конденсатор с загрузкой. [18] |
Для расчета хе 1 / ( соСй), где Се - внешняя или, точнее, краевая емкость рабочего конденсатора, можно использовать некоторые общие свойства электрического поля конденсатора и магнитного поля индуктора. Схема замещения индуктора по общему потоку получается из схемы замещения конденсатора путем замены всех емкостей индуктивностями, а сопротивление гг становится сопротивлением провода индуктора. Это сопротивление при расчете индуктора находится на основании предположения, что внешнее магнитное поле индуктора с загрузкой подобно полю пустого индуктора. Справедливость такого предположения доказана экспериментально. Очевидно, справедливо и аналогичное утверждение: внешнее ( краевое) электрическое поле конденсатора с загрузкой подобно полю пустого конденсатора. [19]
До сих пор частотную характеристику tg6 конденсатора мы аппроксимировали в первом приближении частотными характеристиками р - и s - схем замещения конденсатора, считая, чго реальная частотная характеристика располагается между ними. [20]
 |
Схемы замещения конденсатора 114. [21] |
В реальном емкостном накопителе энергии, или в конденсаторе, происходят также потери энергии. Они обусловлены главным образом расходованием активной мощности в диэлектрике конденсатора. Это условие соблюдается в схеме замещения конденсатора, показанной на рис. 3.32, а. Здесь через сопротивление Re ( проводимость GC), называемое сопротивлением ( проводимостью) утечки, происходит перетекание зарядов, обусловленное несовершенством диэлектрика. [22]
Проводимость ga приходится учитывать в тех случаях, когда в конденсаторе имеются изоляц. Все паразитные параметры схемы замещения конденсатора могут быть измерены. В ВЧ диапазоне ( практически при / 10 Мгц) необходимо учитывать влияние паразитных элементов измерит, схем, в частности при применении куметров - паразитную индуктивность ветви настроечного конденсатора. На частотах, превышающих 200 Мгц, из-за влияния паразитных элементов, схемы с сосредоточенными постоянными применяют очень редко и переходят к измерению с помощью измерит, линий и измерит. При этих методах измеряемое вещество заполняет нек-рый участок коаксиальной линии или волновода. Распределение напряжения вдоль линии между образцом н генератором полностью определяется входным сопротивлением участка с образцом. В свою очередь, параметры образца и участка линии за образцом полностью характеризуют входное сопротивление участка. [23]
 |
Зависимость импеданса конденсатора ZOT частоты и температуры. [24] |
Индуктивное сопротивление coLKxii зависит только от частоты, в то время как / соС и Лконд зависят, как указывалось выше, еще и от температуры. На рис. 7.5 показана примерная зависимость импеданса Z от частоты при разных температурах. Из рис. 7.5 можно видеть, что в низкочастотной области, начиная с некоторой частоты, происходит отклонение ZOT линейной зависимости. Это происходит, когда емкостное сопротивление становится сравнимым с сопротивлением Лконд схемы замещения конденсатора. При дальнейшем возрастании частоты достигается резонанс и импеданс Z Лкоад. Выше резонансной частоты преобладает индуктивное сопротивление, которое становится определяющим для Z на очень высоких для конденсатора частотах. [25]
Страницы: 1 2