Cтраница 1
Схема замещения транзистора с общей базой изображена на рис. 8.12 а. [1]
![]() |
Зависимость коэффициента [ IMAGE ] Представление транзистора шума транзистора от частоты. в виде четырехполюсника. [2] |
Из схемы замещения транзистора ( рис. - 6.5) видно, что она содержит резко разграниченные входные и выходные цепи, имеющие две пары зажимов для соединения с другими устройствами. [3]
Параметры схем замещения транзисторов для малых переменных составляющих ( § 219) дают обычно в Я - или Z-формах. [4]
Параметры схем замещения транзисторов для малых переменных составляющих ( см. § 9.35) дают обычно в Я - или Z-формах, так как эти параметры их практически удобнее определить, чем остальные. [5]
Рассмотрим схему замещения транзистора, когда общим электродом является база. На рис. 15.22, а изображена схема с общей базой. Схема рис. 15.22, б заменяет схему рис. 15.22, а для малых приращений. [6]
В схемах замещения транзисторов вместо зависимого источника ЭДС и последовательно с ним включенного резистора часто используют зависимый источник тока и шунтирующий его резистор. [7]
При рассмотрении схемы замещения транзистора ( рис. 6.5, а) было установлено, что его р - n - переходы имеют емкости, которые в схеме замещения учтены конденсаторами Сэ ( емкость эмиттерного перехода) и Ск ( емкость коллекторного перехода), причем эти емкости шунтируют сопротивление эмиттера г8 и коллектора гк. С увеличением рабочей частоты емкостные сопротивления эмиттера и коллектора уменьшаются и их шунтирующее влияние возрастает. [8]
![]() |
Нелинейная схема замещения биполярного транзистора с общим эмиттером. [9] |
При рассмотрении схемы замещения транзистора на рис. 2.19 прежде чем приступить к анализу цепи, необходимо оценить положение рабочей точки на его входной характеристике, поскольку от этого зависят параметры элементов схемы. С помощью нелинейной схемы замещения, приведенной на рис. 5.14, можно описать и рассчитать рабочий режим транзистора, причем задаются только его входная характеристика, напряжение Эрли U и коэффициент усиления по току В в режиме холостого хода. [10]
Известны параметры схемы замещения транзистора Ya, Уб, УК, Ск, включенного по схеме с общей базой ( рис. 10.18, а), коэффициент усиления транзистора по току а и частота со сигнала на входе. [11]
![]() |
Схема замещения транзистора на высокой частоте ( а и частотная зависимость коэффициента передачи тока базы ( б. [12] |
Рассмотрим вначале схему замещения транзистора, предложенную Джиако-летто. [13]
Здесь использованы простейише схемы замещения транзисторов Т1 и Тг - входная цепь насыщенного транзистора 7 представлена в виде короткозамкнутого отрезка, запертый транзистор Т2 заменен разрывом между точками К. [14]
Выразить сопротивления Т - схемы замещения транзистора с общей базой ( рис. 6.10) через Z-параметры. [15]