Схема - аттенюатор
Cтраница 1
Схема аттенюатора ( рис. 2.16) построена на резисторном делителе напряжения, выходы которого подключены к аналоговому переключателю на МОП-транзисторах. Управление интегральной микросхемой осуществляется сигналами напряжением минус 15 В. [1]
 |
Схема измерения 1ап5в эквивалентной параллельной RC цепи. [2] |
Рассмотрим схему аттенюатора с частотной коррекцией, показанную на рис. 7.18. В начальный момент ключи находятся в положении А. [3]
Это устройство иногда называют схемой аттенюатора или лестничной схемой. [4]
Один из вариантов практической реализации схемы аттенюатора иа П - образиых ФВЧ при помощи гибридной технологии изображен на рис. 6.12, в. В качестве p - i - n диодов использовались диоды 2А517А, а в качестве емкостей фильтров н блокировочных емкостей - конденсаторы KlO-9, резисторы н катушки индуктивности выполнены методами гибридно-пленочной технологии. Результаты экспериментального исследования макета аттенюатора, выполненного по вышеуказанной топологии, приведены иа рис. 6.12, г. Для дальнейшего увеличения ослабления аттенюатора необходимо увеличивать число p - i - n диодов, находящихся в режиме центрального диода аттенюатора. [5]
 |
Схема включения аттенюатора. [6] |
На рис. 14 - 1 - 7 приведена схема 75-ом-ного, 3-децибельного аттенюатора промежуточной частоты. Вход аттенюатора подключен к согласованному отрезку 75-омного кабеля с соединителем; последний вставляется в ламповую панель последнего каскада исследуемого у. Выход 3-децибельного аттенюатора нагружен 75-омным сопротивлением, а индуктивность L резонирует с входной емкостью первой лампы выходного усилителя; это обеспечивает постоянство калибровки аттенюатора. [7]
Образцовые аттенюаторы Д1 - 11 и Д1 - 13 выполнены по схеме многозвенного рези-сторного аттенюатора с ослаблением 10 дБ на одно звено. Особенностью схемы аттенюатора Д1 - 11 является то, что параллельно резисторам, стоящим в последовательных цепях, включены конденсаторы, позволяющие уменьшить зависимость ослабления аттенюатора от частоты. [8]
В конкретной ситуации выбор Т - или П - звена зависит от возможности практической реализации элементов схемы аттенюатора. В случае высоких значений входного сопротивления может оказаться, что величина R2 в Т - звене чрезвычайно мала, а в П - звене весьма велика. При практической реализации аттенюаторов следует использовать резисторы с малой индуктивностью, например на основе пленок из графита. Рее соединения между элементами должны иметь минимально возможную длину для устранения паразитных связей между ними. Наличие паразитных связей затрудняет создание аттенюаторов с большим затуханием, так как такие связи ограничивают величину максимально достижимого затухания в реальных конструкциях. Поэтому на практике в качестве схемы аттенюатора с большим затуханием применяют каскадное соединение нескольких звеньев, каждое из которых вносит относительно небольшое затухание. [9]
 |
Симметричное Т - образное звено аттенюатора. [10] |
С помощью (4.25) и (4.26) можно определить величины всех элементов схемы на рис. 4.23. Поскольку номинальные значения Rt и R2, из которых будет собрана схема аттенюатора, отличаются от рассчитанных по (4.25) и (4.26), то лучшие результаты достигаются, когда в качестве номинальных значений выбраны ближайшие к рассчитанным. В конце подраздела дана оценка влияния на затухание и входное сопротивление отклонений от расчетных значений величин установленных в аттенюаторе резисторов. [11]
Образцовые аттенюаторы Д1 - 11 и Д1 - 13 выполнены по схеме многозвенного рези-сторного аттенюатора с ослаблением 10 дБ на одно звено. Особенностью схемы аттенюатора Д1 - 11 является то, что параллельно резисторам, стоящим в последовательных цепях, включены конденсаторы, позволяющие уменьшить зависимость ослабления аттенюатора от частоты. [12]
В отсутствие конденсаторов С [ и Сг коэффициент деления на высокочастот-жом участке спектра определяется паразитными емкостями, что вносит неопределенность. Чтобы избежать этого, в схему аттенюатора включены конденсаторы Ci и С2, емкости которых хотя и малы, ио заведомо больше паразитных емкостей схемы. [13]
Изменяя напряжение на диоде, можно плавно изменять его сопротивление в широких пределах - от малых до весьма больших значений. Это свойство дает возможность применять диод в схеме аттенюатора. [14]
 |
Принципиальная схема [ IMAGE ] Схема двухзвенного атте-аттенюатора с полевым тран - нюатора на полевых транзисторах, зистором в режиме управляемого резистора. [15] |
Страницы: 1 2