Схема - лазер
Cтраница 2
 |
Оптическая схема ГЛОН на молекулах NH3 ( резонатор СО2 - лазера - зеркало Зг и решетка Рг резонатор ГЛОН - - решетки Рг и Р2. [16] |
Что касается ОСН для FIR-лазеров, то они отличаются принципиально и конструктивно от рассмотренных ОСН. Так как длина волны генерации FIR-лазера значительно отличается от длины волны накачки, то подобрать оптические материалы, одинаково пропускающие эти длины волн, очень сложно. Поэтому большинство ОСН FIR-лазеров исключают конструкции элементов с углами Брюстера и используют коле-ниарную накачку, при которой излучение накачки вводится в резонатор, зеркала которого устанавливаются внутри вакуумной камеры, через малое отверстие, расположенное обычно в центре входного зеркала. Второе зеркало резонатора должно обеспечивать оптимальную добротность для F / jR - излучения и одновременно обладать высоким коэффициентом отражения для излучения СО2 - лазера, чтобы оно могло совершать в F / - резонато-ре большое число проходов. На рис. 3.11 приведена схема лазера на молекулах CH3F с типичной схемой оптической накачки. [17]
 |
Лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах. [18] |
Исходным лазерным материалом являются кристаллы фторидов и хлоридов щелочных металлов, а также фториды кальция и стронция. Используются также кристаллы с примесью. Воздействие на кристаллы ионизирующих излучений ( у-квантов, электронов высоких энергий, рентгеновского и коротковолнового ультрафиолетового излучений) или прокалка кристаллов в парах щелочного металла приводит к возникновению точечных дефектов кристаллической решетки, локализующих на себе электроны или дырки. Стимулированное излучение возникает на электронно-колебательных переходах в таких образованиях. Схема генерации центров окраски аналогична схемам лазеров на красителе. [19]
 |
Излучательные переходы и релаксация в молекулах красителя. [20] |
И сильного уширения линий в жидкостях отдельные колебательные переходы по большей части остаются совсем неразрешенными, так что возникает однородная спектральная полоса. Лазер на красителе наиболее часто описывается как четырехуровневый лазер. Под действием света накачки происходят переходы на возбужденные колебательные уровни состояния Si в соответствии с принципом Франка-Кондона. Колебательная дезактивация состояния Sl происходит чрезвычайно быстро ( & ю - 10 - 13 с), благодаря чему молекулы собираются на нижнем крае системы уровней Si. Отсюда они могут переходить на раз-личные колебательные уровни состояния So, что будет сопровождаться люминесценцией. Если конечный уровень превышает основной уровень больше чем на kBy то при термодинамическом равновесии его населенностью можно пренебречь. Поскольку, кроме того, опустошение этого уровня посредством колебательной релаксации происходит очень быстро, то выполняются все требования, характерные для схемы четырехуровневого лазера. [21]
Страницы: 1 2