Схема - транзисторный модулятор
Cтраница 1
 |
Способы подключения нагрузки в транзисторных модуляторах.| Эквивалентные схемы источника сигнала. [1] |
Схемы транзисторных модуляторов могут быть выполнены как однополупер йодными, так и двухполупер йодными. Однопо-лупериодные характеризуются тем, что энергия источника входного сигнала поступает в нагрузку только в течение одного полупериода работы схемы. [2]
Структурно-компенсированными схемами транзисторных модуляторов называются такие, принцип работы которых требует применения нескольких транзисторных ключей, причем эти ключи включаются так, что их остаточные напряжения и токи взаимно компенсируются. [3]
В схеме транзисторного модулятора ( рис. 5.17) модулирующий сигнал мод создает на базах транзисторов VT ] и VT2 противофазные напряжения U Q и и в, обеспечивающие противоположные состояния транзисторов. [4]
В схемах транзисторных модуляторов транзисторы работают в таких режимах, когда они могут находиться только в двух определенных состояниях, характеризуемых резко отличающимися друг от друга параметрами. [5]
 |
Способы построения систем регулирования. [6] |
В некоторых схемах транзисторного модулятора можно добиться уменьшения дрейфа нуля до величины 50 мкв и менее, что дает возможность применить транзисторные модуляторы не только в приборах центральной части системы, но и в измерительных преобразованиях сигналов низкого уровня от термопар и термометров сопротивления. [7]
Количественно величина дрейфа нулевого уровня схем транзисторных модуляторов может быть определена по выражениям, приведенным в табл. 4 - 4 и 4 - 5, если значения U3KB и / экв вычислять не по абсолютным значениям остаточных напряжений и токов транзисторных ключей, а по их приращениям. [8]
Таким образом, нулевой уровень компенсированной схемы транзисторного модулятора может появиться даже при одинаковых остаточных источниках вследствие различия в динамических сопротивлениях транзисторных ключей. [9]
Один из способов уменьшения нулевого уровня схем транзисторных модуляторов заключается в использовании в некомпенсированных схемах модуляторов вида С -, С-2, L-1 и L-2 рис. 3 - 8 компенсированных транзисторных ключей. [10]
 |
Усредненные характеристики г3. [11] |
Однополярное управление германиевыми низкочастотными транзисторами применимо лишь в низко-омных схемах транзисторных модуляторов и при низких температурах окружающей среды. При использовании германиевых высокочастотных транзисторов, имеющих при однополярном управлении большую величину г3, однополярное управление применимо в более широком диапазоне температур и в более высокоомных схемах, чем при использовании низкочастотных германиевых транзисторов. [12]
 |
Изменение напряжения на разделительном конденсаторе и тока намагничения разделительной индуктивности. [13] |
Наличие разделительной реактивной цепи накладывает дополнительные требования на структуру схемы транзисторного модулятора. [14]
 |
Схема УПТ с преобразованием. [15] |
Страницы: 1 2