Изменение - ток - коллектор
Cтраница 1
 |
Временные зависимости тока базы ( а и тока коллектора ( б при работе транзистора в качестве ключа по схеме с общим эмиттером. [1] |
Изменение тока коллектора в момент переключения входа транзистора в схеме с общим эмиттером обычно небольшое по сравнению с изменением того же тока в схеме с общей базой. [2]
Изменения тока коллектора Г2 и запирающего тока базы 7 также равны. [3]
Изменение тока коллектора Т1 под действием температуры позволяет транзистору ТЗ регулировать напряжение на выходе за-фядного устройства. Это, в свою очередь, приводит к изменению величины тока накачки в нужном направлении. [4]
Изменение тока коллектора в зависимости от напряжения при / э 0 происходит за счет изменения рекомбина-ционного тока при модуляции толщины базы. Условие постоянства тока эмиттера (5.144) трубует такого изменения напряжения на нем, чтобы градиент концентрации оставался постоянным. Отношение этого изменения напряжения эмиттера к изменению тока коллектора и называется диффузионным сопротивлением базы. Следовательно, диффузионное сопротивление базы отражает явление обратной связи, возникающее при модуляции толщины базы. [5]
Изменение тока коллектора в схеме с общим эмиттером обычно небольшое по сравнению с изменением того же тока в схеме с общей базой в момент переключения входа транзистора. [6]
 |
Временные зависимости тока базы ( а и тока коллектора ( б при включении транзистора по схеме с общим эмит - ТРПОМ. [7] |
Изменение тока коллектора в момент переключения входа транзистора в схеме с общим эмиттером обычно небольшое по сравнению с изменением того же тока в схеме с общей базой. [8]
Изменение тока коллектора одного из транзисторов сопровождается противофазным изменением тока второго транзистора. [9]
 |
Временные зависимости тока базы ( а и тока коллектора ( б при работе транзистора в качестве ключа по схеме с общим эмиттером. [10] |
Изменение тока коллектора в момент переключения входа транзистора в схеме с общим эмиттером обычно небольшое по сравнению с изменением того же тока в схеме с общей базой. [11]
Тогда изменения тока коллектора, соответствующие изменениям тока базы, могут быть найдены непосредственно по переходной характеристике. Рабочую точку, как и в ламповом усилителе, выбирают в середине линейного участка переходной характеристики. Выбор рабочей точки определяется стремлением получить максимальную линейность усиления. [12]
Отношение изменения тока коллектора к вызвавшему его изменению тока эмиттера при заданном напряжении эмиттера называется коэффициентом усиления триода по току, в статическом режиме он достигает обычно нескольких единиц. [13]
В действительности изменение тока коллектора в схеме с ненасыщенным триодом начинается раньше, чем в схеме с насыщенным триодом. Поэтому кривые на рис. 2 служат лишь для сравнения длительности среза импульса. Из этого рисунка видно, что длительность среза Ср ( определяемая на уровне от 0 9 до 0 1) для дрейфового триода, оказавшегося в насыщении, почти в 1 8 раза меньше по сравнению с tcv для этого же триода, но - ненасыщенного. [14]
 |
Движение электронов и дырок в транзисторах типа п-р - п и р-п - р. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5