Схема - термостабилизация
Cтраница 1
 |
Структура эпитаксиального ( а и пленарного ( б транзисторов. [1] |
Схемы термостабилизации позволяют ослабить влияние температуры на режим работы транзистора, схемы термокомпенсации в некотором диапазоне температур дают возможность полностью компенсировать влияние температуры на параметры и характеристики транзистора. [2]
Наибольшее распространение получила схема термостабилизации режима, приведенная на рис. 13.5, в. [3]
Значения сопротивлений резисторов схем термостабилизации, вычисленные по формулам, рекомендуемым различными авторами, нередко существенно отличаются друг от друга и могут быть рекомендованы как ориентировочные. В процессе наладки каскадов УПЧ величины сопротивлений этих резисторов практически всегда уточняются экспериментально. [4]
На рис. 4.10 8 показана схема термостабилизации с параллельной обратной отрицательной связью с коллектора на базу одного и того же транзистора. Для схемы ( см. рис. 4.9, а), когда резистор был подключен непосредственно к источнику коллекторного питания, ток базы транзистора и напряжение в коллекторе были абсолютно не связаны между собой. [5]
В настоящее время известно большое количество схем комбинированной термостабилизации усилителя на полупроводниковых триодах. Общий принцип их построения заключается в том, что температурное отклонение коллекторного тока уменьшается н основном при помощи отрицательных обратных связей. Выбирая схему и интенсивность обратной связи, учитывают имеющуюся величину напряжения питания, возможное ухудшение показателей качества каскада ( снижение передаточного коэффициента или входного сопротивления) и необходимость уменьшения разброса характеристики из-за технологических причин. Обратная связь уменьшает температурное отклонение до некоторой ( обычно небольшой) величины. Оставшееся отклонение легко снизить практически до нуля включением компенсирующих термоэлементов. Поскольку на долю термоэлементов остается компенсация малого отклонения, то к точности подбора и временной стабильности их характеристик предъявляются гораздо менее жесткие требования, чем для компенсации полных температурных отклонений тока. [6]
Если внешние сопротивления входной цепи триода велики, то при расчете схем термостабилизации напряжением эмиттер - база Мб. [7]
Во-вторых, для устранения влияния температуры, сильно меняющей параметры транзистора, применяется схема термостабилизации. [8]
Рассмотренная схема имеет хорошую температурную устойчивость, поскольку все транзисторы ( за исключением 77) работают в ключевом режиме. Для повышения устойчивости транзистора 77 применена схема термостабилизации. С целью устранения влияния колебаний напряжения питающей сети на точность стабилизации потенциала вся схема ( за исключением силового блока) питается от стабилизированного источника питания ( СИП) напряжением 12 В. [9]
 |
Зависимость / г-параметров. [10] |
Сильная зависимость выходных характеристик транзистора от температуры является их существенным недостатком. Для уменьшения влияния температуры на режим работы транзисторов применяют схемы термостабилизации и термокомпенсации. [11]
Лишь в тех случаях, когда связь управляемого транзистора с нагрузкой достаточно слабая, этот недостаток проявляется в малой степени. Процесс регулирования усиления транзисторного каскада протекает при наличии тока в управляющей цепи, что в ряде случаев приводит к усложнению схемы детектора АРУ и затрудняет фильтрацию регулирующего напряжения. Применение схем термостабилизации режима работы транзистора при потенциометрическом способе подачи исходного смещения на базы регулируемых каскадов значительно снижает эффективность системы АРУ. Схемы термостабилизации и АРУ действуют навстречу друг другу. [12]
Температурная стабилизация режима работы усилителя предусматривает создание таких схем, в которых влияние изменений температуры на положение рабочей точки значительно снижено. При термостабилизации используется отрицательная обратная связь ( по току, по напряжению или комбинированная) с применением линейных элементов. На рис. 8 - 16 приведены схемы термостабилизации режима однокаскадного усилителя при питании от одного и двух источников питания. [13]
Серьезным недостатком таких устройств является низкая температурная стабильность временного интервала. Без специальных мер относительный температурный дрейф достигает нескольких процентов. Для достижения дрейфа порядка 1 % необходимо использовать схемы термостабилизации. Для того чтобы получить максимальную относительную ошибку порядка 0 2 %, применяют устройства с разделенными функциональными элементами. [14]
Лишь в тех случаях, когда связь управляемого транзистора с нагрузкой достаточно слабая, этот недостаток проявляется в малой степени. Процесс регулирования усиления транзисторного каскада протекает при наличии тока в управляющей цепи, что в ряде случаев приводит к усложнению схемы детектора АРУ и затрудняет фильтрацию регулирующего напряжения. Применение схем термостабилизации режима работы транзистора при потенциометрическом способе подачи исходного смещения на базы регулируемых каскадов значительно снижает эффективность системы АРУ. Схемы термостабилизации и АРУ действуют навстречу друг другу. [15]
Страницы: 1 2