Cтраница 4
RK ( по постоянному току) достаточно велико и напряжение z / K сильно изменяется при изменении коллекторного тока. Если же сопротивление RK мало и напряжение к практически не отличается от напряжения коллекторного источника Ек0, то для стабилизации рабочей точки целесообразно использовать схему с отрицательной: обратной связью по току. [46]
![]() |
Симметричный триггер с автоматическим смещением. [47] |
Быстрому переключению схемы в противоположное устойчивое состояние способствует положительная обратная связь, проявляющаяся в том, что изменения коллекторного тока одного транзистора вызывают содействующие изменения базового и коллекторного токов другого транзистора, если оба транзистора находятся в активном состоянии. [48]
Ссылка на напряжение используется для пояснения процесса, поскольку любое изменение приложенного напряжения в режиме класса С вызывает изменение коллекторного тока. Поэтому в процессе модуляции изменяются также и уровни мощности. [49]
![]() |
Статические характеристики транзистора. [50] |
На основании сказанного можно считать, что при напряжении между коллектором и эмиттером от 1 0 до 10 в изменения коллекторного тока определяются в основном током базы. Ток же базы является функцией сигнала, приложенного между базой и эмиттером. [51]
Постепенно вводя сопротивление R2, напряжение увеличивают от нуля до 10 - 15 в ( без замера), наблюдая за изменением коллекторного тока. Если стрелка отклоняется в пределах одного малого деления шкалы, то коллекторный диод находится в исправном состоянии и от качественной проверки можно переходить к количественным измерениям. [52]
Подключение нагрузки может нарушить устойчивость стационарных состояний, так как при этом изменяется эквивалентное сопротивление коллекторной цепи, что в свою очередь вызывает изменение коллекторного тока и напряжения, это изменение влияет на степень насыщения транзистора и надежность запирания. [53]
![]() |
Двухкаскадный усилитель. [54] |
Наличие в схеме ( рис. 2.14) общей обратной связи, охватывающей оба каскада, приводит к взаимному влиянию изменений режима работы транзисторов Т и 7Y Поэтому изменение коллекторного тока каждого из транзисторов будет складываться из собственной нестабильности каскада в соответствующей схеме стабилизации режима и вносимой нестабильности, обусловленной изменением режима работы другого транзистора. При этом благодаря общей отрицательной обратной связи результирующая нестабильность коллекторного тока транзистора оказывается уменьшенной пропорционально глубине обратной связи. [55]
![]() |
К определению рабочей точки по выходным характеристикам. [56] |
Если резистор в цепи эмиттера шунтирован конденсатором с достаточно большой емкостью ( определение достаточной величины этой емкости описано в § 5.15), то изменение тока базы, вызываемое сигналом, приводит к изменению коллекторного тока и напряжения вокруг рабочей точки вдоль нагрузочной прямой, но уже по переменному, а не по постоянному току. [57]
В дальнейшем будет происходить увеличение тока коллектора транзистора V2, а магнитный поток в сердечнике, изменив свое направление, начинает увеличиваться ( рис. 6, б, точки 4 - 5) и при достижении насыщения сердечника ( рис. 6, б, точка 5) скорость изменения коллекторного тока V2 становится равной нулю и вновь произойдет переключение транзисторов. [58]
Однако увеличение сопротивления Кэ вызывает падение коэффициента усиления каскада ( по входному сигналу постоянного тока) за счет роста отрицательной обратной связи по току, при этом коэффициент усиления с ростом R3 падает в более сильной степени по сравнению с коэффициентом нестабильности, а следовательно, и величиной изменения коллекторного тока. Таким образом, для уменьшения дрейфа необходимо уменьшать величины сопротивлений R3 и RQ, что возможно лишь в определенных пределах. [59]