Cтраница 2
В схемах дифференциальных усилителей в интегральном исполнении могут использоваться как симметричный, так и несимметричный выход, когда выходной сигнал снимается с одного из коллекторов. Вход также может быть несимметричным, при этом база одного из коллекторов заземляется. [16]
Хотя при симметрии схемы дифференциального усилителя обеспечивается ослабление синфазного сигнала даже при R 0, очень важно иметь это сопротивление для синфазного сигнала максимально большим, чтобы синфазный сигнал не вызывал смещения рабочих точек транзисторов в нелинейную область. [17]
![]() |
Разрез структуры МДП-тетрода. [18] |
Для использования в схемах дифференциальных усилителей разработаны и выпускаются сдвоенные транзисторы, представляющие собой два транзистора с идентичными параметрами, помещенные в один корпус. Принципы работы каждой из структур сдвоенного транзистора не отличаются от принципов, рассмотренных выше для одиночного транзистора. Для получения двух структур с идентичными параметрами в настоящее время используются два метода: метод подбора парных структур с помощью ЭВМ и метод наиближайшего совмещения структур на полупроводниковой пластине с тем, чтобы уменьшить влияние технологических режимов на разброс параметров. [19]
![]() |
Классический дифференциальный усилитель. [20] |
На рис. 4.18 представлена схема дифференциального усилителя, коэффициент усиления которого равен R2 / Rv В этой схеме, как и в схеме источника тока с согласованными резисторами, для получения высокого значения КОСС необходимо обеспечить точное согласование резисторов. Более подробно дифференциальные усилители рассмотрены в гл. [21]
На рис. 14.6 представлена схема широкополосного дифференциального усилителя с симметричными входом и выходом. Для предотвращения эффекта Миллера транзисторы обоих плеч дифференциального усилителя заменены каскодными схемами. [22]
![]() |
Широкополосный усилитель со стабилизацией по постоянному напряжению. [23] |
На рис. 14.9 была приведена схема дифференциального усилителя, обладающего хорошими характеристиками при больших сигналах и имеющего нулевой потенциал покоя на выходе. При использовании его как операционного усилителя коэффициент усиления по напряжению должен быть большим, а выходное сопротивление малым. [24]
![]() |
Дифференциальный каскад на транзисторах типа супер-3.| Дифференциальный каскад с использованием на входе полевых транзисторов. [25] |
На рис. 6.5 приведен пример схемы дифференциального усилителя с полевыми транзисторами Т2, 7 9 на входе. [26]
Обычно в операционных усилителях применяют схему дифференциального усилителя с целью обеспечения устойчивого усиления при непосредственных связях, высокого коэффициента усиления в целом и возможности применения внешней обратной связи, которая может потребоваться в ряде случаев. Большие точность и стабильность характеристик полупроводниковых операционных усилителей достигаются путем схемотехнического использования свойств парности или согласованности параметров элементов, изготовляемых интегральной технологией на единой полупроводниковой подложке. При изготовлении операционных усилителей в интегральной форме всегда стремятся обеспечить такие их характеристики, которые удовлетворяли бы требованиям при использовании усилителей в различных устройствах. [27]
![]() |
Схема симметричного дифференциального усилительного каскада. [28] |
Первый каскад ОУ выполняется по схеме дифференциального усилителя. Все входные параметры ОУ определяются свойствами его входного дифференциального каскада. Кроме увеличения коэффициента усиления он обеспечивает также согласование по сопротивлению входного и оконечного каскадов. В настоящее время проектируются двухкаскадные ОУ; в них второй и третий каскады совмещены. [29]
Задача 2.23. На рис. 2.15 представлена схема дифференциального усилителя. [30]