Схема - адсорбция
Cтраница 2
Выдвинутая далее гипотеза о переходе электронов как лимитирующей стадии адсорбции кислорода на окиси цинка подтверждается в основном согласованностью и простотой трактовки ряда опытных данных на ее основе. Характерные особенности адсорбции кислорода и сопутствующие ей изменения сопротивления находятся в соответствии с указанной гипотезой во всем температурном интервале. Медленные обратимые изменения проводимости при температуре порядка 150 С, связанные с существованием поверхностного уровня, отличного от первого ионизационного уровня кислорода, можно объяснить, рассматривая переход электрона как лимитирующую стадию; при этом можно оценить высоту поверхностного барьера. Схема адсорбции водорода на окиси цинка также основана на модели электронного перехода. Наконец, и опыты по фотопроводимости хорошо объясняются этой моделью. Данные по кинетике хемосорбции кислорода после обезгаживания окиси цинка под действием света также позволяют оценить высоту поверхностного барьера, и результаты, полученные этим способом, хорошо согласуются с найденными по электропроводности. Количественное сравнение опытов по фотопроводимости с характеристиками модели электронного перехода свидетельствует о хорошем совпадении. [16]
Определяющим фактором для подобного рода покрытий является размер и тип углеводородной группы. Если R представляет собой длинноцепочечную алифатическую углеводородную группу, то такие поверхностно-активные группы стабилизируются за счет образования гидрофобных связей между ними на поверхности. При очень низкой концентрации вещества в растворе на поверхности адсорбируется только одиночный слой, и поверхность становится гидрофобной. На рис. 6.11 показана схема адсорбции длинноцепо-чечных аминов на кремнеземе, например ацетата додециламина, причем при рН 7 ниже 25 С, по-видимому, имеет место физическая адсорбция, скорее всего вследствие образования водородных связей. Такая адсорбция вызывает появление больших энтропийных эффектов, свидетельствующих об образовании гидрофобных связей между адсорбированными додецилгруппами, что ведет к стабилизации всего адсорбированного слоя. [17]
 |
Схема электронного механизма взаимодействия молекул со свободной. [18] |
Как сказано выше, при химическом взаимодействии молекулы с насыщенными связями с поверхностью первым актом должен явиться разрыв одной из связей адсорбирующейся частицы. Этот разрыв осуществляется при встрече молекулы со свободной валентностью ( свободным электроном или электронной дыркой) поверхности. Дальнейший характер образования адсорбционного соединения существенно зависит от того, содержит молекула одинарные или кратные связи. На рис. 122, а показана схема адсорбции молекулы, в которой два атома ( или радикала) А и В соединены простой связью. Разрыв этой связи приводит к образованию поверхностного соединения с прочной ( на схеме атом А - поверхность) и слабой ( атом В - поверхность) гомеополярны-ми связями. [19]
Страницы: 1 2