Схема - элемент
Cтраница 2
Схема элемента приведена на фиг. [16]
Схема элемента приведена на фиг. [17]
Схема элемента Бэкона приведена на фиг. [18]
Схемы транзистор-транзисторно-транзисторных элементов ( Т - ТТЛ) выполнены на основе ТТЛ-схем и применяются для реализации функции запрета, НЕ, И-ИЛИ. При использовании подобных схем упрощается синтез комбинационных схем ЦВМ и более экономично расходуются элементы ТТЛ. [19]
Схема элемента МЭСЛ симметрична, поэтому напряжение на прямом выходе при переключении изменяется так же, как и на инверсном, но в противофазе. [20]
Схема трехуровневого элемента И-НЕ приведена на рис. 103, в. Если на вход Разрешение приложено положительное напряжение логический 1, то схема работает обычным образом. Таким образом, выход Q оказывается практически изолированным и никакого влияния на остальные элементы, подключенные к этому выходу, не оказывает, пока не поступит сигнал логической 1 Разрешение и схема не начнет действовать. Подобным образом выполняются и другие логические элементы, подключаемые к общим линиям двухнаправленной передачи. [21]
Схемы элементов логических действий могут выполняться с управлением потенциалами ( напряжениями), импульсами или смешанным управлением, на ламповых, полупроводниковых или магнитных элементах. Некоторые из них описаны выше ( см. каскады совпадения на стр. [22]
 |
Схема четырехквадрантного элемента перемножения. [23] |
Схема элемента перемножения БП-31 отличается от схемы приведенной на рис, 118 тем. БП-31 образуются не суммы и разности с различными знаками на выходах элементов суммирования 3, 4, 5, 6 ( см. рис. 118), а их полусуммы, причем используется один усилитель на входе вместо двух. [24]
 |
Схема клапанного распределителя.| Клапанный распределитель с рычажным приводом. [25] |
Схема элемента клапанного распределителя показана на рис. 3.73. Клапан 2 под действием пружины 4 прижимается к своему седлу, перекрывая подступ жидкости из камеры 3, связанной с насосом, в камеру 1, соединенную с гидродвигателем. [26]
Схема элемента транзисторно-транзисторной логики ТТЛ является воплощением этой идеи ( рнс. В отличие от схемы ДТЛ здесь имеется только один сдвигающий диод. Поэтому при нулевом уровне на входах напряжение на базе транзистора Т1 будет не отрицательным, как в ДТЛ ( 5 - 6), а близким к нулю, что несколько снижает помехоустойчивость схемы. Кроме того, в отличие от изолированных диодов здесь возможно взаимодействие между диодами - горизонтальный транзисторный эффект. В результате этого эффекта в эмиттере, на который подано запирающее напряжение ( / их, может протекать паразитный обратный ток, обусловленный инжекцией электронов из смежного открытого эмиттера, что может привести к снижению уровня t / вх - Для исключения этого эффекта принимают особые меры, несколько увеличивающие площадь ИС. Тем не менее выигрыш в площади по сравнению с ДТЛ оказывается существенным. Поэтому схемы ТТЛ практически вытеснили ДТЛ и в настоящее время относятся к самым распространенным интегральным логическим схемам. [27]
 |
Схема элемента теплового пограничного слоя к выводу интегрального соотношения энергии. [28] |
Схема элемента теплового пограничного слоя показана на рис. 3.3. Этот слой формируется в результате теплообмена, связанного с наличием разностей температур. Поэтому при составлении баланса энергии теплового пограничного слоя следует учитывать только те тепловые потоки, которые связаны с наличием температурного поля. При отсутствии излучения и внутренних источников избыточное, относительно температурного уровня Т0, теплосодержание пограничного слоя меняется только под воздействием оттока тепла через стенку и избыточного теплосодержания газа, поступающего в пограничный слой через проницаемую поверхность стенки. [29]
Составить схемы элементов для определения нормальных электродны потенциалов электродов А1 А1 - и Cu Cu - в паре с нормальным водородны электродом. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5