Схема - детектор
Cтраница 1
Схема детектора содержит П - образный фильтр Аг, Ris, Ctt. [1]
 |
Схема АРУ с усилением по постоянному току. [2] |
Схема детектора параллельная, диодная. Напряжение задержки обеспечивается потенциометром R RsRe. Следует указать на определенные трудности создания напряжения задержки в такой схеме. Ток указанного потенциометра должен быть значительно меньше анодного тока лампы усилителя. Вследствие этого 4, 5 и R6 выбирают достаточно большими, но увеличение сопротивления R4 приводит к снижению коэффициента передачи детектора. [3]
 |
Схема параллельного амплитудного детектора. [4] |
Схема детектора с последовательным включением диода ( рис. 194, а) применяется, когда нет опасности попадания на диод постоянного напряжения. [5]
Схема детектора этого типа [8] показана на рис, IV.5. Поверхность проволоки из нержавеющей стали тщательно очищают и окисляют, прокаливая проволоку при высокой температуре. После такой обработки покрывают проволоку равномерно даже элюенты с высоким поверхностным натяжением. Обработанную таким образом проволоку протягивают через поток элюента и покрывают пробой и элюентом. В печи для испарения, в которой поддерживается требуемая температура, элюент испаряют и вымывают воздухом. После этого пробу на проволоке транспортируют в окислительную печь и при 600 - 8003С сжигают в токе воздуха. [6]
Схема детектора является обычным мостом Уитстона, разбаланс которого регистрируется электронным потенциометром с чувствительностью 1 мв. [7]
 |
Схема микроволнового плазменного детектора. [8] |
Схема детектора изображена на рис. IV.1. Чувствительность его к различным металлам колеблется в меньшей степени, чем у ПФД. [9]
 |
Схема детектора хроматографа, основанного на теплопроводности газов. [10] |
Схема детектора, где использован метод измерения теплопроводности газов, показана на рис. 11.9. Платиновые спирали 4, расположенные в ячейках 2 и 3 металлического корпуса /, включены в мостовую схему постоянного электрического тока в качестве двух его плеч. [11]
Схема детектора с полупроводниковым диодом показана на рис. 16.10. Особенностью характеристики полупроводникового диода является наличие заметного обратного тока при отрицательном напряжении на диоде в отличие от лампового. [13]
Схемы детекторов в зависимости от рода модуляции делятся на различные группы, из которых прежде всего следует упомянуть: амплитудные, фазовые и частотные детекторы. [14]
Схема детектора, показанная на фиг. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5