Насыщенная схема

Cтраница 2

Меры по увеличению быстродействия позволяют для транзисторных С. Применяя в качестве С. В сложных устройствах, при сравнительно невысоких требованиях к быстродействию, предпочтительны, с точки зрения помехозащищенности, насыщенные схемы. [16]

Упрощенная схема ненасыщенного транзисторного ключа с нелинейной обратной связью. [17]

Насыщенные ключи характеризуются малой мощностью рассеяния на коллекторном переходе во включенном состоянии и хорошей помехоустойчивостью. Однако в этом режиме из-за задержки выключения транзистора снижается быстродействие ключа. Кроме того, время выключения транзистора зависит от изменений окружающей температуры и может быть различно для различных транзисторов. Этот недостаток может быть устранен путем использования больших рассасывающих токов, что, однако, связано с применением специальных стробирующих каскадов. Другим недостатком насыщенных схем является большая мощность рассеяния на базе при больших степенях насыщения. [18]

Страницы: 1 2