Cтраница 3
Из формулы для / ш т следует, что влияние времени пролета электронов в лампе повышает уровень ее шума в такой же мере, как сопротивление l / gt, включенное в цепь сетки и имеющее температуру, в 5 раз большую комнатной. Эквивалентная шумовая схема электронной лампы аналогична эквивалентной шумовой схеме полевого транзистора. [31]
Эквивалентная схема рис. 4 - 39 может быть также получена исходя из другой системы электрических и шумовых параметров трехполюсника. Например, если в качестве основной схемы принять эквивалентную шумовую схему рис. 4 - 29, б и воспользоваться системой r - параметров, то легко показать, что все эквивалентные схемы, изображенные на рис. 4 - 41, равноценны в смысле равенства выходных эффектов. [32]
Эквивалентная схема каскада резонансного усилителя на полевом транзисторе аналогична эквивалентной схеме рис. 5.1 каскада на обычном биполярном транзисторе. Соответствующая шумовая схема приведена на рис. 5.3. Часть рисунка между точками / - 1 и 2 - 2 представляет собой эквивалентную шумовую схему полевого транзистора, включенного с общим истоком. [33]
Как уже указывалось, дополнительная входная проводимость обусловлена действием обратной связи, возникающей вследствие падения напряжения на индуктивности ввода общего электрода. Поэтому отношение сигнал / шум на выходе усилителя не изменяется. Следовательно, можно полагать, что gL обладает нулевой шумовой температурой и не является источником шумов. Она лишь влияет на распределение шумовых токов в эквивалентной шумовой схеме усилительного каскада. Для ослабления влияния индуктивности ввода общего электрода его длина не должна быть более 5 - 6 мм. Укороченный ввод транзистора должен подпаиваться непосредственно к общей шине схемы. Применение панелек в схемах СВЧ недопустимо. [34]