Простейшая схема - замещение
Cтраница 1
Простейшая схема замещения для этого случая изображена на рис. 9.15 в. Как видно, характер кривой меняется с изменением частоты. При высоких частотах ( малой длительности полупериодов) относительные концентрационные изменения незначительны и поведение электродов определяется главным образом кинетикой реакции: на кривой я координатах У3, Rs появляется ха рактерный для этого случая отрезок полуокружности. [1]
Здесь использованы простейшие схемы замещения транзисторов Т1 и Т2 - входная цепь насыщенного транзистора 7 представлена в виде короткозамкнутого отрезка, запертый транзистор TZ заменен разомкнутым ключом. [2]
Какие существуют простейшие схемы замещения электрических приемников. [3]
Рассмотрим зависимость tg 6 от частоты для простейших схем замещения. [4]
 |
Зависимость тангенса угла потерь от частоты для разных схем замещения.| Трехэлементные схемы замещения реального конденсатора. [5] |
Эти схемы не сводятся друг к другу или к простейшим схемам замещения. Лишь в пределе, когда оо, обе схемы превращаются в простейшую последовательную схему, а при г0 - в простейшую параллельную. [6]
На рис. 7 - 6, в в качестве примера приведена простейшая схема замещения гирлянды из трех изоляторов и показано распределение емкостных токов. [7]
С, что приводит к ( более сложным схемам, внешне отличным от простейших схем замещения четырехполюсника. Эти схемы называют моделирующими и часто их противопоставляют схемам замещения четырехполюсника. Однако надо меть в виду, что все эквивалентные схемы активных приборов явно или неявно представляют собой схемы замещения активных четырехполюсников и основываются либо на измерении, либо на расчете внешних частотно-зависимых параметров прибора. Таким образом, методы теории активных четырехполюсников в яв-иом или скрытом виде используются при решении всех задач анализа и синтеза цепей с активными приборами. [8]
Эквивалентная схема каскада при действии отрицательной полуволны входного сигнала ывх ( t) дана на рис. 3.90. Предполагается, что транзистор Т насыщен и для его входной и выходной цепей использованы простейшие схемы замещения: отрезки база - эмиттер и коллектор - эмиттер стянуты в точки. [9]
На рис. 3.40, а изображена схема по переменному току в области низких частот эмиттерного повторителя. Штриховыми линиями на рисунке выделена простейшая схема замещения транзистора. [10]
Составление схем для расчета восстанавливающегося напряжения начинают обычно с составления общей схемы замещения преобразовательной установки. Для этого отдельные элементы полной цепи заменяют простейшими схемами замещения. Полученную общую схему затем свертывают относительно зажимов погасшего вентиля. [11]
 |
Схема замещения биполярного транзистора в Я-параметрах. [12] |
Параметры холостого хода в соответствии с (4.5) обозначаются как: Нп - обратная передача по направлению и Н22 - выходная проводимость. Параметры короткого замыкания определяются из (4.6) и имеют значения: Нп - входное сопротивление, Н2 ] - прямая передача по току. Полученная система параметров транзистора не противоречит простейшей схеме замещения, приведенной на рис. 4.3 а. [13]
Страницы: 1