Реальная схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если памперсы жмут спереди, значит, кончилось детство. Законы Мерфи (еще...)

Реальная схема

Cтраница 4


Пусть реальная схема четырехполюсника содержит п независимых контуров. В качестве первого выберем кон - 13 - 2 ТУР. Не интересуясь падением напряжения в источнике энергии, будем рассматривать напряжение C / i на входных зажимах четырехполюсника как вызывающее токи в цепи.  [46]

Когда реальная схема обработки выбрана и проанализирована, может оказаться, что для каких-то помех она обеспечивает точность, более высокую, чем МНК. В этом нет ничего удивительного, так как МНК является оптимальным по точности оценки параметра только для белого шума. Если же оказалось, что реальная схема дает точность, значительно худшую, чем МНК, обычно имеет смысл определить, в чем именно причина этого, из-за чего возникают потери. После этого проектировщик может решить, являются ли эти потери платой за какие-то важные преимущества ( например, за простоту или технологичность схемы) или же они являются результатом просчета и требуется вносить соответствующее исправление. В последующих параграфах этой главы более подробно обсуждаются оценки точности, которые получаются при обработке по МНК. Структура обработки описана в § 4.1 и основана на измерении меры различия е приходящего сигнала с образцом, имеющимся в обрабатывающей системе. Отметим, что при аддитивной помехе типа стационарного белого шума мера различия е совпадает с точностью до постоянного коэффициента с натуральным логарифмом от функции правдоподобия.  [47]

Поэтому реальная схема выполнения устройства с учетом отстройки от них оказывается значительно более сложной. Однако и при этом защита с контролем, действующим на выведение ее из работы, оказывается не очень быстродействующей.  [48]

Рассмотрение реальных схем требует ограничения теорети-зации представлений о регенеративном цикле. Такие вопросы, как определение наивыгоднейших значений температурных перепадов при выборе температуры конца подогрева питательной воды, определяются особенностями реальной тепловой схемы.  [49]

50 Упрощенная. блок-схема кодаво-адресной системы коммутация. [50]

Вариант реальной схемы приведен на рис. 4.5. Здесь устройства преобразования посылок на входе и восстановления их на выходе, а также тактовый источник ИГ-Р те же, что и на предыдущей схеме, но, в отличие от нее, в данной схеме используется кодово-адресная матрица К. АМ, являющаяся совокупностью входных регистров, объединенных общим регенеративным устройством памяти. Упрощенная блок-схема кодово-ад-ресной матрицы приведена на рис. 4.6. Кроме того, здесь введен тракт разделения импульсов, фиксирующих положение во времени соответственно передних и задних фронтов информационных посылок, что необходимо для восстановления этих посылок на выходе. С целью обеспечения статистического уплотнения группового тракта устройства памяти УП замкнуты по принципу построения регистра с переносом. Целесообразность такого соединения устройств памяти будет показана в следующем разделе.  [51]

Преобразование реальной схемы с коммутацией к фиксированной схеме по существу представляет собой преобразование к оси выпрямленного тока.  [52]

53 Эквивалентные схемы цепей связи. [53]

Преобразование реальных схем к эквивалентным простейшего вида ( рис. 1.16) производится на основании теоремы об эквивалентном генераторе.  [54]

55 Принципиальная схема радиоизотопного измерения контурных размеров изделий для определения краевых точек линейной области измерений. [55]

Для реальной схемы контроля были установлены следующие размеры: высоты источника п и кристалла Н равнялись 30 мм. Ввиду того что линейная область А-В рассчитывается на максимальную величину двойной амплитуды колебания изделия ( см. рис. 1), принимаем А-В равной 7 мм.  [56]

Для реальных схем активных элементов существование такого числа Nco может быть строго доказано.  [57]

В реальной схеме при достаточно сильно отличающихся эдс источников также один диод ( в цепи максимальной эдс) открыт, а осталь - ные закрыты.  [58]

В реальной схеме при достаточно сильно отличающихся эдс источников также открыт один дирд ( в цепи минимальной эдс), а остальг ные закрыты.  [59]

В реальной схеме за время заряда коллекторной и эмит-терной емкостей ток коллектора, вообще говоря, изменяется; поэтому при расчете t 3 нельзя считать, что на входе действует генератор тока. Как будет показано ниже, в схемах с непосредственной связью обратный ток базы / 62 будет порядка / кн, поэтому можно считать, что предыдущий транзистор выключается при больших токах. В этом случае фронт выключения транзистора определяется временем заряда нагрузочной емкости через сопротивление коллектора.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5