Идеализированная схема

Cтраница 1

Идеализированная схема, которую мы с таким трудом получили, широко известна в науке под названием случайных блужданий. Несмотря на кажущуюся условность, к такой схеме, оказывается, можно свести множество реальных явлений. Но пожалуй, наиболее важным приложением схемы случайных блужданий является молекулярная физика, точнее говоря, броуновское движение. [1]

Приведенная идеализированная схема является грубой во многих отношениях. В частности, категоризация действующих единиц на экспериментаторов, теоретиков и проектантов является условной; на самом деле часто их функции совмещаются, хотя и с преобладанием одной из них. Не отражена на схеме внутренняя сложная иерархическая структура действующих единиц, которая в меньшем масштабе часто воспроизводит структуру всей системы. [2]

Идеализированная схема связи вводимой в магнитосферу ( W [) и диссипирую-щей в виде джоулева тепла ( Wi) энергий и фаи магнитосферной суббури; пунктир - прямая диссипация, штриховая часть - взрывная диссипация. [3]

Изложенная идеализированная схема диффузии паров воды в гранулированных цеолитах и вытекающие из нее уравнения ( 9) и ( 11) не могут распространяться на другие газы без специальной экспериментальной проверки. [4]

Вышеприведенная идеализированная схема работы зерен шлифовального круга дает возможность получить следующие кинематические зависимости ( фиг. [5]

Идеализированной схемой этой задачи описывается большая часть задач классической небесной механики. Единственным универсальным методом получения решений этой задачи для произвольных начальных значений является численное интегрирование. [6]

Рассмотрим идеализированную схему Габора ( рис. 1.6), а именно вместо предмета возьмем единичный точечный рассеи-ватель Р, источник освещения заменим точечным источником, испускающим монохроматическую сферическую волну и запись будем производить на тонкослойную светочувствительную среду. [7]

Структурная схема СФД.| К принципу действия ФД. [8]

Рассмотрим идеализированную схему ФД ( рис. 34), содержащую электронный ключ Кл, управляемый сигналом местного гетеродина, и сопротивление нагрузки R, зашунтированное емкостью С. Пусть частоты входного ис и гетеродинного ыг сигналов совпадают. Пусть далее ключ замыкается только в течение положительных полуволн гетеродинного напряжения. В случае, когда фаза входного напряжения совпадает с фазой гетеродинного ( р 0), ток через ключ будет протекать только во время положительных полупериодов входного напряжения. Высокочастотные пульсации тока сглаживаются конденсатором С, и на сопротивлении нагрузки выделится положительное постоянное напряжение. Если же фаза входного напряжения противоположна фазе гетеродинного ( ф180), импульсы тока через ключ будут отрицательными и на нагрузке выделится отрицательное напряжение. [9]

Воспользуемся идеализированной схемой, при которой прохождение тока ПС по скважине предотвращается при помощи изоляционных пробок, размещенных поперек скважины и инфильтрационной зоны, как показано на рис. XXXVIII. [10]

В идеализированных схемах предполагается, что пластическое состояние совершенно отделимо от упругого, которое вполне обратимо, и от вязкого, у которого статическое сопротивление сдвигу при нулевой скорости воздействия отсутствует. [11]

Исследование этих идеализированных схем и создание схем с оптимальными характеристиками являются основной целью динамической теории автоматических систем, часто именуемой технической кибернетикой. [12]

Поглощение кромкой теплоты линейного быстродвижущегося источника. [13]

Переходя от идеализированной схемы к реальному резу, можно отметить, что температура плавления достигается на кромках реза шириной Ь, которая в общем случае пропорциональна диаметру столба. [14]

При использовании любых упрощенных, идеализированных схем и понятий надо, однако, иметь в виду, что обнаруживаемые в результате анализа эффекты лишь приближенно и схематично отражают истинные реальные явления. Это полностью, конечно, относится и к нашим задачам. Обнаруженная в наших рассуждениях полная утрата геометрической неизменяемости и потеря несущей способности есть следствие принятой схемы идеального упруго-пластичного материала. [15]

Страницы: 1 2 3 4