Cтраница 2
Диодные логические элементы являются пассивными схемами. Поэтому в различных устройствах они могут быть использованы лишь совместно с активными элементами, например, транзисторными усилителями. Диодные логические элементы могут выполнять операции над уровнями напряжений ( при работе совместно с потенциальными элементами), короткими импульсами ( при взаимодействии с импульсными схемами), а также одновременно и с потенциалами и импульсами. [16]
После того как составлена матрица пассивной схемы, она дополняется параметрами активных элементов. Здесь возможны два случая. [17]
![]() |
ТонкоплЕночние индуктивности. [18] |
Толстопленочная гибридная интегральная микросхема представляет собой пассивную схему из толстопленочных элементов ( проводников, резисторов, конденсаторов) на керамическом основании, с навесными активными элементами. Гибридные схемы, изготовленные по толстопленочной технологии, отличаются хорошими электрофизическими параметрами и сравнительно недороги. Они характеризуются высокой надежностью и стабильностью при длительном воздействии влаги. Такие свойства обеспечивает материал - стекла, благородные металлы и керамика, практически неокисляемые до относительно высоких температур. [19]
Модуль подключения полевых устройств является электрически пассивной схемой, к которой легко подключаются кабели полевых устройств. Модуль подключения просто передает входные сигналы от полевого устройства к входному модулю, или сигналы, генерированные выходным модулем, непосредственно к кабелям полевого устройства. Таким образом, предоставляется возможность вынимать или заменять входной и выходной модули без нарушения электрических подсоединений полевых устройств. [20]
![]() |
Эквивалентные схемы усилителя. а-с генератором э. д. с.. б-с генератором тока. [21] |
Если устройство не имеет источника питания ( пассивная схема), то оно не может считаться усилителем, так как мощность на его выходе будет обязательно меньше ( за счет потерь) входной мощности. [22]
Сопротивление Z ( p) как входное сопротивление пассивной схемы является ПВФ. Поэтому функция Z21 ( p) не может иметь полюсов в правой полуплоскости, а полюсы этой функции на мнимой оси простые. [23]
В статье рассмотрены факторы, ограничивающие функциональные возможности струйных пассивных схем, и указан способ построения весьма развитых схем этого типа. [24]
![]() |
К определению свойства аддитивности и применению принципа суперпозиции для расчета линейных электрических цепей. [25] |
Например, на рис. 1.6, а была показана пассивная схема суммирования двух напряжений HBXI и ВХ2 - Для определения зависимости выходного. [26]
ТЭТ и параметров D ( s) во множество пассивных схем ( графов Г), имеющих определители Л / ( s), приведено в приложении, § П-2. [27]
Получив эти основные сведения, рассмотрим теперь основы синтеза пассивных схем. [28]
Гибридные методы изготовления микросхем основываются на сочетании тонкопленочной или толстопленочной пассивной схемы с навесными бескорпусными полупроводниковыми приборами. [29]
Для того чтобы установить, в какие клетки матрицы проводимости пассивной схемы вписать соответствующие параметры неопределенной матрицы, достаточно обозначить строки и столбцы матрицы трехполюсника номерами узлов схемы, с которыми соединены полюсы элемента. Новая нумерация строк и столбцов указывает на место, которое должен занять в матрице схемы данный элемент матрицы трехполюсника в соответствии с его включением в схему. Может оказаться, что один из полюсов трехполюсника соединен с базисным узлом схемы. Элементы строки и столбца матрицы трехполюсника, которые соответствуют этому зажиму, не вписываются в матрицу схемы. [30]