Cтраница 3
Предназначена для инженеров-программистов, занятых проектированием тестов для дискретных схем автоматики и вычислительной техники, специалистов по ЭЦВМ. Может быть использована в качестве учебного пособия для студентов технических вузов. [31]
Предназначена для инженеров-программистов, занятых проектированием тестов для дискретных схем автоматики и вычислительной техники, специалистов по ЭВМ. Может быть использована в качестве учебного пособия для студентов технических вузов. [32]
Затраты на приборы и средства химического контроля при дискретной схеме сокращаются по сравнению с затратами по схеме, где используются непрерывно действующие приборы, примерно в 1 5 - 2 раза при сохранении технологических и экономических преимуществ автоматического оперативного химического контроля по сравнению с ранее применявшимся ручным. [34]
Книга предназначена для инженеров-программистов, занятых проектированием тестов для дискретных схем автоматики и вычислительной техники, и специалистов по вычислительным машинам. Она может быть также с успехом использована в качестве учебного пособия для технических вузов радиоэлектронного профиля. [35]
Несмотря на то что в настоящее время триггеры на дискретных схемах выполняют редко, физические процессы удобнее рассмотреть на таких схемах. [36]
Наряду с аналоговыми в устройствах релейной защиты и автоматики применяются цифровые и дискретные схемы сравнения. [37]
Пусть число размеров частиц настолько велико, что можно от дискретной схемы перейти к непрерывной. Обозначим через dQ массу частиц размера г в пробе песка. [38]
Таким образом, в основе интегральной микроэлектроники лежит принцип воспроизведения исходной дискретной схемы в виде интегральной схемы, содержащей все элементы исходной. Это приводит по мере усложнения операции, выполняемой микросхемой, к увеличению числа отдельных элементов, что имеет свой предел, обусловленный целым рядом физических факторов. Прежде всего, это связано с отводом тепла из микросхемы. Дело в том, что существует некоторое минимальное значение энергии, потребляемой активными компонентами микросхемы, ниже которого микросхема работать не может. Вследствие этого при увеличении ( в некотором объеме полупроводника) числа отдельных компонентов микросхемы ( сопровождаемое уменьшением их размеров) возрастает и потребляемая энергия питания и повышается выделение тепла, отвод которого - очень непростая задача. Помимо этого, уменьшение размеров сопровождается увеличением сопротивления токопроводящих металлических полосок, соединяющих отдельные компоненты, что может привести к нарушению режима работы. [39]
![]() |
Номограмма расчета объемов усреднителей различных схем, предназначенных для погашения циклических колебаний. [40] |
Номограммы расчета объемов для сопоставляемых схем ( в качестве представителя многоканальной дискретной схемы взята двух-канальная) приведены на рис. 2.14. Для примера пользования номограммами рассмотрим, как и в предыдущем случае, конкретную задачу. [41]
![]() |
Расчетная схема замещения. [42] |
В схеме аналоговой модели необходимо учесть зазоры, имеющиеся в дискретной схеме замеще - связях; ния. [43]
Возможно проектирование по четырем основным направлениям: традиционная реализация на дискретных схемах СИС / МИС, реализация на ПЛИС, программная интерпретация цифровой схемы на МК и реализация в форме полузаказного кристалла того или иного типа. Естественно, при физической реализации конечной продукции может оказаться целесообразным применение любых комбинаций перечисленных вариантов. Более того, реализация ряда комбинаций может оказаться целесообразной и в рамках единой БИС. [44]
Здесь пороговые напряжения обоих транзисторов приняты одинаковыми, что характерно для дискретных схем, в которых подложки можно соединять с истоками. [45]