Монолитная интегральная схема
Cтраница 4
Однако существуют монолитные интегральные схемы, специально предназначенные для этой цели. [46]
 |
Если на прибор с такой струк. [47] |
МДП-транзисторы в связи с высокой технологичностью их изготовления широко применяются в микроэлектронике. При разработке монолитных интегральных схем на МДП-транзисторах в качестве резисторов схемы используются те же МДП-транзисторы, работающие на ненасыщенных участках вольт-амперных характеристик. [48]
 |
Машина ЕС-1030. [49] |
Машина ЕС-1030 - универсальная вычислительная машина ( рис. 14.5), предназначена для решения широкого круга научно-технических и информационно-логических задач в научных и проектных организациях, на промышленных предприятиях, в государственных учреждениях, в вычислительных центрах, а также, в автоматизированных системах управления. Элементной базой модели являются монолитные интегральные схемы. [50]
Система памяти модели 135 состоит из управляющей памяти и основной памяти. Обе выполнены на основе монолитных интегральных схем. Управляющая память с перезаписью содержит область микропрограммы и область, предназначенную для управляющих операций системы. Основная память применяется для хранения программ и данных, используемых центральным процессором. Управляющая память отделена от основной и располагается в одном базисном модуле памяти. В этом разделе дается лишь предварительное описание управляющей памяти и консольного файла. [51]
Металл-оксидный полупроводник ( МОП), особенно дополнительный металл-оксидный полупроводник ( ДМОП) и биполярные технологии являются родовыми технологиями в производстве полупроводников. В качестве основных компонентов монолитных интегральных схем эти транзисторы придают интегральным схемам их отличительные признаки. Биполярные схемы предпочтительны для систем, где необходима максимальное быстродействие в логических операциях. С другой стороны МОП схемы предпочтительны для систем, в которых требуется высокая плотность компонентов и низкое потребление энергии. Схемы ДМОП имеют самые низкие требования по мощности. Таким образом, они желательны в случаях, когда обеспечение питанием ограничено или когда может потребоваться охлаждение схемы. Дополнительное сочетание биполярной и МОП технологий реализуется в БИДМОП технологии, которая сочетает скорость биполярных схем с высокой степенью интеграции и малым потреблением энергии ДМОП схем. [52]
Эти машины построены с использованием последних достижений микроэлектроники на унифицированной конструктивно-технологической базе. Основными элементами электронной части устройств являются монолитные интегральные схемы. [53]
 |
ИС с балочными выводами. [54] |
При проектировании топологического рисунка межсоединений вместо обычных контактных площадок предусматривают удлиненные полоски ( 0 5 - 1 мм) шириной 0 1 - 0 2 мм - будущие балочные выводы. Вначале кристаллы групповой пластины обрабатывают по технологии монолитных интегральных схем. Во время металлизации кроме вакуумного напыления подслоя применяют электролитическое наращивание золота ( 10 - 30 мкм), после чего производят избирательное травление. Далее материал подложки удаляют шлифованием, а элементы разделяют сквозным избирательным травлением кремния. [55]
В конструкциях этих моделей 75 % объема занимают монолитные интегральные схемы. Интегральные монолитные схемы, используемые в ЭВМ моделей 70 / 45 и 70 / 55, имеют малую толщину и заключены в квадратные металлокерамические корпуса. Каждая монолитная схема эквивалентна схеме, состоящей из 45 транзисторов и 13 сопротивлений с необходимыми между ними соединениями. Устройство обработки данных в модели 70 / 45 содержит около 8000 интегральных схем. [56]
 |
Иерархическая система памяти модели 155. [57] |
Основная память построена на ферритовых сердечниках и может иметь объем от 256К до 2048К байтов. Буферная память емкостью 8К байтов построена на основе монолитных интегральных схем. [58]
 |
Поперечное сечение консольного ( а и мостикового ( б вариантов МЭМС ключей. [59] |
Последние представляют собой миниатюрные механические ключи, управляемые напряжением. Возможность создания таких элементов базируется на прецизионной технологии монолитных интегральных схем СВЧ. Все элементы МЭМС выполняются по двум базовым технологиям: поверхностной и объемной. Поверхностная технология предполагает создание на поверхности подложки металлических и диэлектрических слоев с их последующим селективным травлением для образования полости, размер которой меняется в зависимости от управляющего напряжения. Объемная технология использует объем полупроводникового материала для создания в ней полости, закрытой гибкой мембраной, положение которой зависит от управляющего напряжения. [60]
Страницы: 1 2 3 4