Сложная интегральная схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Лучше помалкивать и казаться дураком, чем открыть рот и окончательно развеять сомнения. Законы Мерфи (еще...)

Сложная интегральная схема

Cтраница 1


Сложные интегральные схемы со средней степенью интеграции ( средние ИС, или СИС) включают от 12 до 100 эквивалентных логических элементов. Интегральные схемы, классифицируемые как СИС, относятся к группе подсистем.  [1]

Сложные интегральные схемы со сверхбольшой степенью интеграции ( сверхбольшие ИС, или СБИС) включают 1000 и более логических или других сравнимых по сложности элементов. К этой категории ИС относятся многие кристаллы ЗУ и микропроцессоры. Когда говорят о сверхбольшой ИС, имеют в виду некоторую цифровую систему на отдельном кристалле. Кристаллом называют отдельную кремниевую пластину ( это может быть квадрат со стороной 0 5 см), которая содержит все функциональные элементы ИС.  [2]

Относительно интенсивности отказов сложных интегральных схем существуют различные точки зрения. Некоторые специалисты считают, что интенсивность отказов таких схем будет складываться из интенсивности отказов самих элементов и соединений между ними, а другие - что правильно выполненные соединения не должны увеличивать интенсивность отказов схем.  [3]

По мере развития технологии выпускаются все более сложные интегральные схемы, содержащие до 106 элементов. Такие большие интегральные схемы ( БИС) являются уже готовыми электронными блоками, выполняющими сложные функции, такие, например, как подсчет и запоминание количества сигналов ] преобразование амплитуды в цифровой код ( измерение амплитуды), выполнение арифметических операций и другие.  [4]

Период 1966 - 1967 гг. характеризуется развитием сложных интегральных схем.  [5]

Метод сканирования М - матрицы для моделирования сложных интегральных схем.  [6]

Метод сканирования М - матрицы для моделирования сложных, интегральных схем.  [7]

Увеличение спроса на передачу данных в течение последних 3 - 4 десятков лет и развитие более сложных интегральных схем вело к созданию эффективных и надежных систем цифровой связи.  [8]

К недостаткам линии рис. 3.31 следует отнести сравнительно большие размеры нагрузочного транзистора, что затрудняет изготовление сложных интегральных схем такого типа, а также относительно большие мощности, потребляемые линией.  [9]

Этот термин широко распространен в радио - и электронной промышленности - в процессах так называемой фотолитографии [55], а также при изготовлении печатных плат при производстве транзисторов и сложных интегральных схем, объединяющих на пластине размером 2X2 мм до 1000 компонентов.  [10]

В отдельных устройствах радиолюбитель встретит вариант использования двух последовательно включенных 9-вольтных батарей, которые образуют источник питания напряжением 18 В. Такое напряжение необходимо лишь для некоторых наиболее сложных интегральных схем, выполненных на МОП-транзисторах. Эти 9-вольтные батареи имеют прямоугольную форму и их наиболее удобно подключать с помощью специальных зажимов.  [11]

Микроэлектроника - новое научно-техническое направление в электронике, на базе которого с помощью сложного комплекса физических, химических, схемотехнических, технологических и других методов решается проблема создания высоконадежных и экономичных микроминиатюрных электронных схем и устройств. При этом происходит частичный или полный отказ от использования дискретных элементов и формирование непосредственно в микрообъеме исходных материалов сложных интегральных схем.  [12]

Эти приборы имеют ВАХ с двумя участками отрицательного сопротивления на прямой и обратной ветвях, что позволяет осуществлять с их помощью управление переменным током. Структура си-мистора представляет собой сложную интегральную схему, которую удобно анализировать, разбив на отдельные самостоятельные элементы. Свойства этих элементов рассматриваются ниже.  [13]

Метод травления с помощью электронного луча ускоряет процесс производства полупроводниковых приборов. Разрешающая способность, получаемая при таком травлении, превышает разрешающую способность, достигаемую с помощью обычных методов фототравления. Это означает, что электроннолучевая технология приведет к разработке высокочастотных приборов меньших размеров и более сложных интегральных схем.  [14]



Страницы:      1