Cтраница 3
Одним из типичных примеров организации НИОКР совместными усилиями государства и пула частных компаний является программа разработки сверхбольших интегральных схем ( СБИС), осуществленная в 1976 - 1980 гг. Несмотря на первоначальный скептицизм, успех превзошел все ожидания. В ходе работ было выдано около 1000 патентов на новые методы, материалы и технологическое оборудование для производства СБИС. Результаты исследований были быстро воплощены в новую продукцию, что обеспечило коммерческий успех японских фирм на мировом рынке. [31]
Для ЭВМ пятого поколения, которые разрабатываются пока в лабораторных условиях, элементная база основывается на сверхбольших интегральных схемах ( СБИС) и на оптико-электронных элементах. Для оптических машин носителями энергии служат не электроны, а фотоны, что значительно повышает скорость передачи сигналов, поэтому быстродействие ЭВМ может достигнуть сотен миллионов операций в секунду. Для преобразования и передачи оптических сигналов применяют лазеры, светоизлучающие диоды, световоды и различные фотоприемники. [32]
Составить стратегии активного игрока ( конструктора), представляющие собой конкурирующие варианты покрытий, например микросхемами, большими интегральными схемами, сверхбольшими интегральными схемами. [33]
Неясно, насколько далеко простирается готовность Соединенных Штатов и Западной Европы признать творческий характер достижений Японии в разработке перспективных технологий - к примеру, сверхбольших интегральных схем, волоконной оптики и думающих роботов. И в Европе, и в Америке чрезвычайно высоко ценится самобытность. Именно с нею связывают сокровенные надежды. Редко можно встретить прагматическую точку зрения, согласно которой исследования и разработки хороши и без оригинальности, если только они результативны. В Европе особенно ощущается отсутствие подобного прагматизма. [34]
Следует подчеркнуть особо, что впервые за всю историю полупроводниковой промышленности Япония и Соединенные Штаты одновременно приступили к созданию одного и того же вида продукции - сверхбольших интегральных схем. Разработку транзисторов, простых и больших интегральных схем японцы начинали с запозданием, а затем успешно набирали темп, в полной мере используя преимущества массового спроса со стороны производства потребительских товаров. [35]
Проект предполагает интегрированную разработку аппаратуры и программного обеспечения, аппаратную поддержку методов логического программирования для искусственного интеллекта, аппаратную поддержку систем управления базами данных и базами знаний, применение сверхбольших интегральных схем ( СБИС) и большого числа элементарных процессоров, развитые средства обработки и синтеза звука и изображений, применение естественного языка. [36]
Пока еще шла работа над проектом, сообщения об успехах одновременно удивили и расстроили как руководителей полупроводниковой промышленности, так и представителей правительств многих стран: становилось очевидно, что Япония вырывается вперед в разработке сверхбольших интегральных схем. Особое внимание привлек типичный для японцев способ организации крупномасштабной программы: сотрудничество правительства и частных корпораций. [37]
Микросхемы 1 - 5 - й степеней интеграции также соответственно называют: ИМС малого уровня интеграции ( МИС) - для 1 - й степени интеграции; ИМС среднего уровня интеграции ( СИС) - для 2 - й и 3 - й степеней интеграции, большие интегральные схемы ( БИС) - для 3 - й и 4 - й степеней интеграции, сверхбольшие интегральные схемы ( СБИС) - для 5 - й степени интеграции. [38]
В решении ключевой политической и хозяйственной задачи - всемерного ускорения научно-технического прогресса - особое значение, как отмечается в Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1986 - 1990 годы и на период до 2000 года, имеют разработки и широкое применение электронно-вычислительных машин всех классов, изготовление высоконадежных систем промышленной автоматики на базе электроники прежде всего для управления технологическими процессами, использование элементной базы повышенной надежности и быстродействия, сверхбольших интегральных схем, лазерной и волоконно-оптической техники, развитие квантовой электроники, радиофизики, оптики и микроэлектроники. [39]
Последние годы характеризуются интенсивным развитием микроэлектроники. Сверхбольшие интегральные схемы уже вмещают до 450 тыс. транзисторов на одном кристалле. [40]
О том, что до сих пор Япония приложила мало усилий в этом направлении, свидетельствует нерешительность подхода к изучению контактов Джозефсона. Сверхбольшие интегральные схемы - это сверхзвезда 80 - х годов, но контакты Джозефсона ждут своего часа. Согласно прогнозным оценкам, они станут ключевым элементом сверхскоростных логических схем и принципиально новых сенсорных устройств. В фундаментальные исследования и разработки по данной проблематике активно включилась компания ИБМ; изучением контактов Джозефсона занимаются ни много ни мало как 150 ее специалистов. В Японии же Центр исследований электронной технологии и крупнейшие фирмы, выпускающие компьютеры, только начинают разворачивать свои программы, причем малыми силами: каждая организация выделила для этой цели десятки, но отнюдь не сотни исследователей. Япония значительно отстает и в области генной инженерии. Ряд японских фирм предпринимает сейчас лихорадочные усилия, чтобы наверстать упущенное, но пока они находятся позади своих конкурентов из Соединенных Штатов на четыре-пять лет. [41]
Без преувеличения можно сказать, что в процессе миниатюризации проявляется суть электронной технологии. Производство сверхбольших интегральных схем предполагает объединение на кремниевом чипе площадью в несколько квадратных миллиметров огромного количества элементов, а достижение большей плотности этих элементов означает и большую компактность изделий, в которых находят применение сверхбольшие интегральные схемы. Более компактной становится аппаратура связи, где используются оптические волокна, способные при толщине в человеческий волос пропускать в сотни или тысячи раз больше информации, чем медный кабель. [42]
Ионы металлов, входящие в состав проявителя, могут адсорбироваться на поверхности подложки и при последующей термодиффузии примесей в подложку вызывать дефекты полупроводниковых структур. Для сверхбольших интегральных схем отрицательное влияние удерживания подвижных ионов металлов особенно велико и повышается с ростом плотности элементов схемы. Поскольку проявление позитивных резистов проводится растворами щелочей, требуется хорошая промывка подложки после проявления. Заметна тенденция использовать растворители, не содержащие ионов металлов, и для проявления позитивных резистов, так как при этом меньше вносится всевозможных загрязнений. [43]
Ионы металлов, входящие в состав проявителя, могут адсорбироваться на поверхности подложки и при последующей термодиффузии примесей в подложку вызывать дефекты полупроводниковых структур. Для сверхбольших интегральных схем отрицательное влияние удерживания подвижных ионов металлов особенно велико и повышается с ростом плотности элементов схемы. Поскольку проявление позитивных резистов проводится растворами щелочей, требуется хорошая промывка подложки после проявления. Заметна тенденция использовать растворители, не содержащие ионов металлов, и для проявления позитивных резнстов, так как при этом меньше вносится всевозможных загрязнений. [44]
Вот фактически суть проблемы творчества в исследованиях и разработках высоких технологий. Будь то сверхбольшие интегральные схемы или волоконная оптика, широкомасштабные НИОКР необходимы, а качество направленной на решение этих задач коллективной работы является одним из определяющих факторов успеха. [45]