Cтраница 4
Несмотря на то что технологию изготовления полупроводников AIUBV и приборов на их основе по целому ряду причин нельзя считать вполне зрелой, на ее основе развиваются исследования и разработки сверхбыстродействующих цифровых интегральных схем, уже конкурирующих с кремниевыми БИС. Можно предположить, что полевые транзисторы с затвором Шоттки - легкие в изготовлении элементы с малым потреблением энергии, которые представляют собой очень удобную элементную базу для создания БИС - будут играть в этой конкуренции главную роль. [46]
![]() |
Схема типового ЭС Л - элемснта. [47] |
Цифровые интегральные схемы ЭСЛ представляют собой транзисторные переключательные схемы с объединенными эмиттерами, обладающие по сравнению с ТТЛ-схемами большим быстродействием и большей потребляемой мощностью. Высокое быстродействие этих схем обусловливается реализацией ненасыщенного режима работы транзисторов и применением эмиттерных повторителей на выходе, а также уменьшением перепада выходною напряжения. [48]
Появились различные цифровые интегральные схемы средней и большой степени интеграции, а также разнообразные прецизионные аналоговые ИС. Современные цифровые ИС реализуют функции целых блоков и узлов вычислительных устройств, обладают высоким быстродействием, что обусловило появление совершенно нового направления в электронике - создание микропроцессоров. Последние обладают такой универсальностью и функциональной сложностью, что существенно возросли возможности как практической реализации более совершенных методов обработки сигналов, так и дальнейшего развития средств автоматизации на их основе. [49]
Совершенствование конструирования дискретной аппаратуры в значительной степени зависит от развития элементной базы. Для цифровых интегральных схем наряду с повышением точности параметров необходимо обеспечить повышение граничной частоты и величины отдаваемой мощности. Для развития радиотехнических систем с электронным сканированием и использования фазированных антенных решеток, состоящих из дискретных изучающих или приемных элементов, необходимо разработать малогабаритные излучающие сверхвысокочастотные устройства. В частности, создаются миниатюрные лампы бегущей волны, работающие в диапазоне частот 84 - 12 ГГц, длиной 15 см и массой 170 г. Для сравнения укажем, что обычная лампа бегущей волны имеет массу до 1 13 кг. [50]