Пленочная интегральная схема
Cтраница 1
Пленочные интегральные схемы изготавливают методом последовательного нанесения на изолирующуюдод-ложку тонких пленок определенной конфигурации из металлов, диэлектриков и полупроводников, которые образуют все элементы схемы. [1]
Пленочные интегральные схемы создаются путем нанесения на исходную диэлектрическую подложку тонких пленок из материалов с различными электрическими свойствами. [2]
Пленочные интегральные схемы образуются путем нанесения на исходную диэлектрическую подложку тонких пленок материалов с различными электрическими свойствами. [3]
 |
Способы получения тонких пленок и области их применения. [4] |
Пленочной интегральной схемой называется схема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Практическое применение получили пленочные микросхемы, состоящие из резисторов, конденсаторов и соединительных проводников. Составные части микросхем ( пленочные элементы) получают последовательным нанесением на общее основание ( подложку) пленок из токопроводящих, магнитных, диэлектрических и других материалов. [5]
В пленочных интегральных схемах все компоненты выполняют в виде тонких пленок, напыленных на диэлектрическую подложку, параметры которой в значительной мере влияют на параметры пассивных компонентов, а также на стабильность и надежность работы интегральной схемы в целом. Вопросу выбора материала подложки при разработке интегральных схем уделяют большое внимание. [6]
Наряду с полупроводниковыми и пленочными интегральными схемами широко используются гибридные ИС. [7]
 |
Зависимость выходной мощности лазера из арсенида галлия фирмы RCA от тока накачки и частоты следования импульсов. [8] |
Он может быть использован также ъ технологии пленочных и интегральных схем для точной подгонки величины сопротивления, емкости или индуктивности входящих в них элементов путем испарения небольших количеств вещества, из которого они образованы. Фирма надеется создать лазеры с частотой следования импульсов 15 - 20 кгц, которые, по ее мнению, найдут применение в военных системах связи. [9]
Интегральные схемы на некристаллической ( изоляционной) подложке, создаваемые обычно из стекла или стеклокерамического материала путем послойного нанесения одна на другую пленок различных материалов с одновременным формированием из них микродеталей и их соединений ( пленочные интегральные схемы), создаются в результате развития вакуумных методов нанесения тонкопленочных покрытий. [10]
Пленочные интегральные схемы получают последовательным напылением на диэлектрическую подложку проводящих, полуйроводящих и диэлектрических пленок. Определенная последовательность и направленность напыления обеспечивает получение активных и пассивных элементов схемы ( резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) и необходимые электрические соединения между ними. Более перспективными являются полупроводниковые интегральные схемы, которые представляют собой микроминиатюрные функциональные моноблоки твердого тела, на поверхности и в объеме которого создаются области, образующие активные и пассивные элементы. [11]
Наряду с этим в последнее время проводятся широкие исследования по получению пленочных диодов и триодов методом напыления в вакууме. Создание приборов этого типа позволит решить проблему изготовления пленочных интегральных схем на однотипном оборудовании, без разгерметизации вакуумного объема, что должно увеличить надежность и упростить задачу автоматизации процесса изготовления интегральных схем. [12]
Однако и в этом случае разрешающая способность будет ограничена прежде всего диаметром электронного пучка. Преимуществом такого процесса является исключение стадии изготовления фотошаблонов при изготовлении, например, пленочных интегральных схем, где не требуется точность выше 10 мкм. [13]
Для современной микроэлектроники характерно два направлег ния: полупроводниковое и пленочное. Полупроводниковые интегральные схемы представляют собой конструкцию, объединяющей. Пленочные интегральные схемы получаются нанесением пленок различных мат риалов на изоляционную подложку. [14]
Страницы: 1