Тонкопленочная интегральная схема

Cтраница 1

Зависимость свойств алюминиевых пленок от температуры подложки. [1]

Тонкопленочные интегральные схемы в чистом виде применяют очень редко, так как методами тонкопленочной технологии можно изготовить только пассивные элементы ограниченных номиналов. [2]

Типовая одноплатная конструкция микроблока. [3]

Тонкопленочными интегральными схемами называют все схемы, выполняемые осаждением пленок различных материалов на изоляционное основание. [4]

Принципиальная схема преобразователя частоты приемника А-271. [5]

На тонкопленочных интегральных схемах К2ЖА371, К2ЖА372 и К2УС372 выполнен тракт AM автомобильного радиоприемника А-271. [6]

Процесс изготовления тонкопленочной интегральной схемы состоит из нескольких этапов. [7]

Физико-химические основы производства тонкопленочных интегральных схем базируются на законах газообразного и кристаллического состояний веществ, на явлениях адсорбции и диффузии, на классических законах современной физики. [8]

Изготовление двухкаскадного усилителя НЧ способом вакуумного испарения. [9]

В качестве примера изготовления тонкопленочных интегральных схем на рис. 240 показано получение способом вакуумного испарения двухкаскадного усилителя. [10]

Испаряют материалы, применяемые для изготовления тонкопленочных интегральных схем, нагревая их в вакууме. [11]

Широкое применение в электронике находят герметизирующие и энкапсулирующие лакокрасочные покрытия, с помощью которых достигаются электроизоляция, упрочнение и защита от внешних воздействий ( влаги, пыли, смазок, топлив, грибковых поражений, ударов, вибрации) как отдельных электронных компонентов типа резисторов, терморезисторов, керамических и пленочных конденсаторов, так и сложнейших печатных плат, толсто - и тонкопленочных интегральных схем. Существует большой ассортимент таких составов - от низковязких, хорошо растекающихся и обеспечивающих полную герметизацию отдельных электронных компонентов, до высоковязких, способных надежно защищать сложные схемы. [12]

Конденсаторы, используемые в интегральных схемах, могут быть трех типов. Первые два типа конденсаторов применяются в полупроводниковых интегральных схемах, третий тип-в гибридных тонкопленочных интегральных схемах. Все типы интегральных конденсаторов характеризуются теми же параметрами, что и дискретные конденсаторы, однако для конденсаторов первого типа существен специфический параметр - коэффициент напряжения, характеризующий зависимость емкости конденсатора от приложенного напряжения. [13]

Поэтому при обычных температурах они обладают очень низкой концентрацией свободных носителей заряда, обусловливающей чрезвычайно малую их электропроводность. Это позволяет использовать диэлектрические пленки в качестве изолирующих прокладок между металлами или металлами и полупроводниками в тонкопленочных и интегральных схемах. [14]

Однако, так как диэлектрическая постоянная массивного Si3N4 ( в 9 4) выше, чем у SiO ( e 6) и SiO2 ( e 3 8), пленки нитрида кремния представляют также интерес для создания конденсаторов. Было обнаружено, что электрическая прочность пленок Si3N4, осажденных при 1000 С за счет реакции SiCl4 и NH3, выше, чем у пленок SiO и SiO2 ( см. также рис. 4), но температура реакции слишком велика для использования при изготовлении тонкопленочных интегральных схем. Предварительные результаты показывают, что стехио-метрические пленки Si3N4 могут быть получены при низких температурах подложки путем реактивного катодного распыления на постоянном токе [54, 55] или ВЧ распыления [55] катода из поликристаллического кремния в атмосфере азота. Из этих двух методов ВЧ распыление более предпочтительно. Однако для использования тонких пленок нитрида при изготовлении тонкопленочных конденсаторов требуется провести большую работу. [15]

Страницы: 1 2