Эквивалентная схема - конденсатор
Cтраница 1
Эквивалентная схема конденсатора ( рис. 12.1, в) включает в себя емкость С, индуктивность вводов и обкладок конденсатора LC, а также сопротивление потерь Re, зависящее главным образом от диэлектрических потерь. [1]
 |
Эквивалентная схема конденсатора с потерями.| Векторная диаграмма конденсатора с. потерями. [2] |
Эквивалентная схема конденсатора с потерями показана на рис. 3 - 24, где С - емкость конденсатора; R - сопротивление, эквивалентное его потерям. [3]
 |
Структура твердотельного конденсатора.| Эквивалентная схема интегрального конденсатора. [4] |
На рис. 12.44 показана эквивалентная схема конденсатора, где С - барьерная емкость р-л-перехода; R - сопротивление перехода; а 2 - сопротивление толщи полупроводника и омических контактов. [5]
Что касается физического смысла параметра G, фигурирующего в эквивалентной схеме МДП конденсатора ( см. рис. 6.2), то этот параметр в общем случае отражает влияние на ФЕ как биполярных и монополярных генерационно-рекомбинационных процессов, так и характера фотовозбуждения. В связи с этим определение, например, параметров генерационно-рекомбинационных центров из экспериментально полученных G ( со) или G ( / 0) зависимостей не всегда может быть проведено достаточно однозначно. [6]
 |
Способы уменьшения паразитной индуктивности бумажных конденсаторов.| Эквивалентная схема конденсатора. [7] |
В зависимости от преобладания активных потерь в диэлектрике или обкладках и выводах эквивалентные схемы конденсаторов имеют различный вид. Для низкочастотных конденсаторов бумажного и пленочного типа эквивалентная схема аналогична. Из схемы видно, что область возможного применения электролитических конденсаторов ограничивается диапазоном посюянного тока и звуковых частот. [8]
При этом в [57, 58] расчет выполнен в общем виде на основе анализа эквивалентной схемы конденсатора с потерями, т.е. без учета конкретных особенностей конденсаторов. [9]
Покажем, что емкость конденсатора с диэлектрической пластиной не зависит от расстояния х до одной из обкладок. Эквивалентная схема конденсатора с диэлектриком изображена на рис. 3.10, б, где С eQS / x; С не зависит от х; С е S / ( d - х - rjd); S - площадь пластин конденсатора; d - расстояние между ними; х - расстояние от диэлектрической пластины до одной из обкладок конденсатора. [10]
При пропускании через конденсатор переменного тока часть энергии теряется на смещение зарядов при поляризации диэлектрика и на преодоление омических сопротивлений в обкладках и выводах конденсатора. С учетом этого эквивалентная схема конденсатора принимает вид, показанный на рис. 6.3, а. Этот угол зависит от отношения мощности потерь к полной реактивной мощности, запасаемой в конденсаторе. [11]
В некоторых случаях при наличии диэлектрика между электродами преобразователя приходится считаться с тем, что после поляризации диэлектрики еще в течение какого-то времени ( 0 1 - 2 с) сохраняют заряд ( абсорбция), что приводит к остаточным напряжениям, достигающим нескольких процентов от приложенного напряжения. Влияние абсорбции в эквивалентной схеме конденсатора в первом приближении можно учесть включением параллельно емкости Со цепочки, состоящей из емкости СА и сопротивления RA. [12]
Если обкладки ранее заряженного конденсатора замкнуть, накоротко на малое время ( секунды), то после размыкания напряжение на них может снова увеличиться до некоторого значения. Это явление, свойственное конденсаторам с замедленной поляризацией ( многослойным, с неоднородностями диэлектрика), называется абсорбцией электрических зарядов. В первом приближении его можно объяснить, пользуясь эквивалентной схемой конденсатора, представленной на рис. 4.3. При замыкании накоротко на малое время выводов обкладок 1 - 2 разрядиться полностью успевает только основная емкость конденсатора С, обусловленная быстрой поляризацией. В диэлектрике на поверхностях раздела, на неоднородностях и в некоторых других местах накапливаются объемные заряды, на образование которых затрачивается значительное время, измеряемое иногда десятками минут. На рис. 4.3 наличие таких зарядов показано в виде абсорбционной емкости Са, подключенной к основной ( С) через эквивалентное сопротивление Ra. С ростом температуры токи абсорбции увеличиваются по закону, близкому к показательному. От величины приложенного напряжения они зависят линейно. [13]
Реальный конденсатор ведет себя иначе. Пространство между его обкладками заполнено диэлектриком. При каждом изменении полярности зарядов на обкладках несколько изменяется ориентация молекул диэлектрика и этот процесс сопровождается преобразованием части энергии электрического поля в тепловую. Наличие потерь электрической энергии в конденсаторе можно отразить, включив в эквивалентную схему конденсатора элемент активного сопротивления Re, как это показано на рис. 3.19. По аналогии с добротностью катушки вводят понятие о добротности конденсатора. [14]
Страницы: 1