Соответствующая эквивалентная схема

Cтраница 4

Программа расчета выходных параметров как стандартных сигналов, так и п-тюлюсников выполнена по единому образцу и имеет следующую форму и содержание. Каждая программа оформлена в виде подпрограммы, обращение к которой осуществляется с любого места по команде передачи управления с возвратом после того, как указан фактический адрес начала массива внутренних параметров соответствующей эквивалентной схемы, и на поле аргументов занесены их значения. [46]

Принцип действия направленного ответвителя с двумя зондами. [47]

Можно показать, однако, что два зонда, расположенные на определенном расстоянии друг от друга, обеспечивают эффект направленного ответвления. Рассмотрим устройство, состоящее из отрезка основной передающей линии и отрезка вспомогательной линии, связанной с основной линией при помощи двух параллельно включенных зондов. Соответствующая эквивалентная схема показана на рис. 8.37, а. Роль реактивных элементов связи, изображенных на этом рисунке, играет емкость штыря или индуктивность петли ( отверстия) связи. [48]

Идеализированные диаграммы импульсов, возбуждаемых в блокинг-генераторе ( 10 - 12 и. [49]

В момент прекращения протекания сеточного тока в процессе опрокидывания анодный ток состоит только из намагничивающего тока. Соответствующая эквивалентная схема приведена на рис. 10 - 12, в. В конце процесса запирания лампы протекание намагничивающего тока через лампу прерывается. Вследствие этого в цепях анода и сетки индуктируются большие положительное и отрицательное напряжения соответственно. Эти напряжения показаны на рис. 10 - 11 в моменты, соответствующие срезу возбуждаемых импульсов. [50]

Реальный трансформатор характеризуется но только внутренними емкостями обмотки, но и значительно большими емкостями между обмоткой и землей или между рассматриваемой и остальными обмотками трансформатора. Это замечание в равной мере относится и к генератору. Соответствующая эквивалентная схема показана на фиг. [51]

Схемы базовая ( а и эквивалентные ( б шеститранзисторной ячейки ЗУПВ. [52]

Транзисторы Т2 - ТЬ образуют схему с двумя устойчивыми состояниями, причем ключевые транзисторы Т3 и Т6 представляют собой приборы МДП-типа с индуцированным - каналом, а транзисторы Т2 и Т1 - приборы МДП-типа со встроенным n - каналом. Как показано в § 2.6 и § 3.6, транзисторы МДП-типа со встроенным л-каналом отличаются от транзисторов МДП-типа с индуцированным л-каналом значениями пороговых напряжений, при которых эти транзисторы начинают проводить ток. Соответствующая эквивалентная схема запоминающего элемента приведена на рис. 6.5, б и представляет собой две перекрестно связанные ключевые схемы. [53]

Схема триггера Шмитта. [54]

Триггер срабатывает, выходное напряжение на резисторе RKt падает до нуля. Анализ работы схемы произведен по рассмотренной в § 9.3 методике и сведен в табл. 9.2. Эквивалентные схемы каждого режима ( рис. 9.12 - - 9.16) составлены с учетом следующих упрощений: пренебрегаем падением напряжения на переходе эмиттер - база биполярного транзистора в активном режиме и падением напряжения на переходе эмиттер - коллектор в режиме насыщения; принимаем входное сопротивление полевого транзистора бесконечно большим. Для каждого режима схемы согласно соответствующей эквивалентной схеме составляем уравнения Кирхгофа и определяем условия существования режима. [55]

Сводка функций спектральной плотности и функций спектральной плотности с учетом корреляций для токовых флуктуации в биполярных транзисторах. [56]

Как видно из предыдущей главы, удобно выражать шумовые свойства линейных двухполюсников в виде коэффициента шума. Эта величина является параметром, который можно определить непосредственно путем выполнения измерений на клеммах двухполюсника; очевидно, она определяется типом цепи, в которую включены элементы. Поэтому, чтобы определить коэффициент шума биполярного транзистора, прежде всего необходимо рассмотреть соответствующую эквивалентную схему для этого элемента. [57]

Этот вариант дожен быть подвергнут всестороннему анализу с целью оценки соответствия его требованиям, содержащимся в техническом задании на проектирование. Для этого проводится оценка эффективности выбранного варианта системы, а также оценка надежности, устойчивости, помехозащищенности и других основных ее свойств. Типичным методом исследования сложных систем на этом этапе проектирования является метод статистического моделирования. В отличие от моделей, используемых при обосновании технических требований к системе, для которых характерна замена элементов системы соответствующими эквивалентными схемами, модели эскизного проекта должны быть заведомо более подробными и с достаточной полнотой учитывать специфику функционирования элементов в заданных условиях внешней среды. Рассматриваемые здесь статистические модели непременно должны обладать по крайней мере следующими двумя свойствами: 1) хорошо отражать структуру системы и быть чувствительными к таким ее изменениям, которые обычно производятся в процессе эскизного проектирования и 2) содержать все параметры системы, определяемые при разработке эскизного проекта. [58]

Страницы: 1 2 3 4