Рассмотренная эквивалентная схема

Cтраница 2

Это указывает на то, что эквивалентная схема внутреннего сопротивления состоит из двух последовательно соединенных емкостных ячеек. Первая ячейка представляет рассмотренную эквивалентную схему заряженного серебряного электрода, вторая - эквивалентную схему двойного электрического слоя электродов. Поскольку емкости включены последовательно, суммарная их величина будет меньше каждой в отдельности. Поэтому, хотя емкость двойного слоя электродов аккумулятора значительно превышает емкость конденсаторов внутри серебряных электродов, она может быть измерена лишь в том случае, если величина емкости указанных конденсаторов снизится до нуля. Поэтому явление электрического резонанса при разряде серебряно-цинкового аккумулятора может иметь место только тогда, когда полностью израсходуется в положительных электродах двуокись серебра. [16]

Точно говоря, обе рассмотренные эквивалентные схемы ( последовательная и параллельная) носят формальный характер в том отношении, что параметры г, R, Ст и Сд, определенные при некоторой данной частоте, не позволяют пользоваться формулами ( 102) и ( 103) для вычисления частотной зависимости угла потерь конденсатора, и для каждого нового значения частоты эти параметры надо определять заново. [17]

Эквивалентная Т - образная схема транзистора для включения по схеме с общей базой. [18]

Порядок величин первичных параметров для плоскостных транзисторов следующий. Сопротивление г9 составляет десятки ом, сопротивление Т (, - сотни ом. А сопротивления гк и п составляют сотни килоом и даже единицы мегом. Рассмотренная эквивалентная схема транзистора пригодна только для низких частот. На высоких частотах необходимо учитывать еще емкости эмиттерного и коллекторного переходов, что приводит к усложнению эквивалентной схемы. [19]

Эквивалентные Т - образные схемы транзистора с генератором ЭДС ( а и тока ( б. [20]

В ней генератор тока создает ток, равный а / тэ. Значения первичных параметров примерно следующие. Сопротивление г3 составляет десятки ом, г6 - сотни ом, а гк - сотни килоом и даже единицы мегаом. Обычно к трем сопротивлениям в качестве четвертого собственного параметра добавляют еще а. Рассмотренная эквивалентная схема транзистора пригодна только для низких частот. На высоких частотах необходимо учитывать еще емкости эмиттерного и коллекторного переходов, что приводит к усложнению схемы. [21]

Страницы: 1 2