Малосигнальная эквивалентная схема

Cтраница 1

Зависимость крутизны характеристики полевого транзистора КД305 от напряжения на затворе ( а и тока стока ( б при С / си 15 В. [1]

Малосигнальная эквивалентная схема ПТ ( с управляющим р-п-пе-реходом или МОПТ) с общим истоком показана на рис. 60, а. Генератор тока в ней отражает влияние входного напряжения на выходной ток - ток стока. В этой схеме входное сопротивление считается бесконечно большим. [2]

На рис. 5.14 приведена упрощенная физическая малосигнальная эквивалентная схема транзистора, включенного с общим истоком, причем подложка соединена с истоком. Конденсаторы в эквивалентной схеме характеризуют следующие емкости структуры: Сзи - емкость затвор - исток; Сзс - емкость затвор - сток; Ссп - емкость сток - подложка. [3]

На рис. 2.18 приведена Т - образная малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме ОЭ. Здесь входным электродом транзистора является база. [4]

При анализе нелинейных электронных схем с трансформаторами широкоизвестная малосигнальная эквивалентная схема трансформатора оказывается неприменимой. В связи с этим в работе [20] предложена эквивалентная схема трансформатора, справедливая для полных токов и напряжений, а не только для их приращений. [5]

На рис. 2.23 ( 3) изображена малосигнальная эквивалентная схема транзисторного усилителя с общим эмиттером. [6]

Указанная специфика работы транзисторов в схемах модуляторов естественно не позволяет использовать широко известные малосигнальные эквивалентные схемы транзистора и требует отдельного рассмотрения основных процессов в транзисторе, с учетом несимметрии его р-п-переходов. [7]

Поскольку выходной каскад усилителя мощности работает с большими амплитудами сигналов, то при его анализе вследствие нелинейности ВАХ транзисторов пользоваться малосигнальной эквивалентной схемой нецелесообразно. Обычно в усилителях мощности используют графический ( или графо-ана-литический) метод расчета по входным и выходным, характеристикам. [8]

Представление схемы с общим эмиттером на базе эквивалентной схемы транзистора для малых сигналов. [9]

Аналогично ток может быть записан в виде суммы постоянной и переменной составляющих. В малосигнальной эквивалентной схеме изображены только переменные составляющие напряжений и токов. Представляя дифференциальные сопротивления как омические, используем правила расчета линейных цепей. При этом источник питающего напряжения рассматривается как коротко замкнутая перемычка, поскольку переменная составляющая его напряжения равна нулю. [10]

В связи с тем, что свойства элементов электрических цепей хорошо известны, а методы их анализа и синтеза детально разработаны, перевод электрохимической системы на язык электрических цепей позволяет лучше понять происходящие в ней процессы и оценить количественно ее параметры. В науке существует даже специальное направление - электрохимическая импедансометрия ( импедансная спектрометрия), занимающаяся изучением электрохимических систем по их малосигнальным эквивалентным схемам, синтезируемым на основе измерения комплексного импеданса в широкой области частот и значений постоянной составляющей потенциала или тока. [11]

Активными элементами схемы в таком автогенераторе служат биполярные и полевые транзисторы, а также туннельные диоды. Автогенераторы работают при малых возбуждающих токах и напряжениях и для их анализа уже не удается привлечь результаты теории, развитой в гл. Здесь теория развивается с помощью малосигнальной эквивалентной схемы полупроводникового прибора и вводятся необходимые нелинейные поправки, учитывающие особенности работы при конечных амплитудах. [12]

На рис. 3 - 26, а показана физическая Т - образная эквивалентная схема транзистора, составленная на основе его общей эквивалентной схемы ( см. рис. 3 - 9), отражающая физические процессы, происходящие в транзисторе в режиме малого сигнала. Параметры этой схемы не зависят от способа включения транзистора и имеют следующий физический смысл. Для перехода от схемы на рис. 3 - 9 к малосигнальной эквивалентной схеме ( рис. 3 - 26, а) необходимо заменить прямо включенный эмиттерный диод Дэ и обратно включенный коллекторный диод Дк дифференциальными активными сопротивлениями эмиттерного гэ и коллекторного г переходов, являющимися сопротивлениями для переменного тока. Кроме того, необходимо параллельно ГЕ и гк включить конденсаторы с емкостями Са и Ск, равными барьерным емкостям эмиттерного и коллекторного переходов. [13]

На рис. 3 - 26, а показана физическая Т - образная эквивалентная схема транзистора, составленная на основе его общей эквивалентной схемы ( см. рис. 3 - 9), отражающая физические процессы, происходящие в транзисторе в режиме малого сигнала. Параметры этой схемы не зависят от способа включения транзистора и имеют следующий физический смысл. Для перехода от схемы на рис. 3 - 9 к малосигнальной эквивалентной схеме ( рис. 3 - 26, а) необходимо заменить прямо включенный эмиттерный диод Дэ и обратно включенный коллекторный диод Дк дифференциальными активными сопротивлениями эмиттерного гэ и коллекторного гк переходов, являющимися сопротивлениями для переменного тока. Кроме того, необходимо параллельно гэ и гк включить конденсаторы с емкостями Сэ и Ск, равными барьерным емкостям эмиттерного и коллекторного переходов. [14]

Страницы: 1