Cтраница 4
![]() |
Переключающая схема для. [46] |
Рассмотрим диодно-трансформаторную ключевую схему, предназначенную для коммутации малых уровней. Ключ выполнен по балансной схеме, приведенной на рис. 44, а. [47]
В ключевой схеме все включающие и выключающие сигналы и питающие напряжения остаются неизменными, а сопротивление нагрузки увеличивается. [48]
В ключевых схемах На высокочастотных транзисторах искажение фронта в большей степени определяется членом RBCK, а в схемах на низкочастотных транзисторах - членом - св. Составляющая rJ ( l Bo) приобретает значение в схемах с высокочастотными транзисторами, где она становится сравнимой с составляющей ( 14-иао), а во многих случаях может и превышать ее. Величина г ( Сэз Ск) невелика по сравнению с другими составляющими при работе с токами эмиттера ( и коллектора) порядка 5 ма и выше. Однако постоянная времени Аъ ( Сзз Ск) становится сравнимой с другими членами варажения ( 12) при переключении токов порядка 2 ма и ниже. [49]
В ключевых схемах с переключательным элементом - ненасыщенным транзистором быстродействие достигается за счет ухудшения таких параметров, как помехоустойчивость из-за более высокого входного сопротивления ключа в открытом состоянии; напряжение UK. [50]
![]() |
Схема транзисторного ключа ( а и ВАХ ( б. [51] |
В ключевых схемах транзистор находится в двух граничных состояниях: закрытом и открытом. В закрытом состоянии транзистор находится в режиме отсечки, а в открытом он может находиться в активном режиме и в режиме насыщения. [52]
![]() |
Транзисторный ключ с ОЭ.| Временные диаграммы входного напряжении ( а, токов базы / б ( б и коллектора / к ( в при переключении транзистора. [53] |
В ключевых схемах используют работу транзистора в режимах отсечки и переключения. В схеме ОЭ ключа ( рис. 41) при подаче на вход напряжения С / вх, меньшего 400 - 500 мВ, ток базы очень мал, практически равен нулю, ток коллектора также почти равен нулю, сопротивление транзистора много больше, чем RK, и выходное напряжение UBblx близко к С / ип - ключ разомкнут. [54]
В ключевых схемах временных селекторов на триодах, принцип действия которых аналогичен, селекторные импульсы обычно подаются в сеточные цепи, что облегчает требования к источнику селекторных импульсов. [55]
Сглаживающий фильтр ключевой схемы должен иметь индуктивное входное сопротивление. [56]
![]() |
Полупроводниковый усилитель на транзисторе в ключевом режиме. [57] |
В основе ключевых схем, осуществляющих регулирование выходного тока и напряжения, лежат различные схемы транзисторных усилителей, простейшая из которых приведена на рис. 9.7. От схемы однокаскадного усилителя на рис. 8.4 она отличается тем, что содержит специальное устройство - широтно-импулье-ный модулятор ( ШИМ), преобразующий сигнал управления еу в разнополярные импульсы еу. Период следования импульсов Ты них амплитуда не меняются. [58]
Сравнение характеристик ключевых схем с нелинейной и квазилинейной нагрузками показывает, что в случае квазилинейной нагрузки обеспечиваются более высокие быстродействие и выходной единичный уровень. [59]
![]() |
Ускоряющие элементы, а - связь со стоком. б - связь с истоком. [60] |