Переключающая схема

Cтраница 2

Для переключающих схем с непосредственной связью, применяемых для построения некоторых типов цифровых вычислительных устройств, наиболее подходящими считаются поверхностно-барьерные транзисторы. [16]

Работа переключающих схем а плоскостных транзисторах, как правило, - происходит при больших управляющих сигналах, амплитуда которьих достаточна для полного открывания транзистора. В этом случае поведение транзистора отличается от работы в обычных усилительных схемах низкой частоты. Это обуславливается тем, что при полном открывании транзистора в его базе появляется избыточная концентрация неосновных носителей заряда, а так как при этом потенциал коллектора ( по отношению к эмиттеру) мал, то после выключения входного то ка неосновные носители продолжают в течение некоторого времени рекомбинировать и тем самым как бы удлиняют время действия входного импульса. [17]

Однопереходный транзистор ( а и его характеристика ( б. [18]

Применение переключающих схем на полевых транзисторах дает определенные преимущества по сравнению со схемами на биполярных транзисторах. [19]

В переключающих схемах транзисторы работают также в области отсечки, которая характеризуется обратным смещением как коллекторного, так и эмиттерного переходов. Для изменения полярности напряжения на эмиттерном переходе необходимо не только изменить направление тока / э или / а, но и довести этот ток в обратном направлении до определенного уровня, при котором произойдет компенсация прямого смещения, создаваемого на эмиттерном переходе обратным током коллекторного перехода. Поэтому область отсечки в строгом смысле располагается не только ниже характеристик / э0, / в0 на рис. 2 - 41, но и не доходит до них. [20]

Полупроводниковые логические переключающие схемы. [21]

При расчете переключающих схем на кристаллических триодах наиболее важными требованиями являются надежность работы, чувствительность к запуску и скорость переключения. Для обеспечения надежности работы постоянные напряжения в любой точке схемы должны быть установлены на вполне определенных уровнях, с учетом допустимых изменений параметров кристаллического триода и схемы. [22]

При проектировании переключающих схем используется булева алгебра - один из видов символической логики. [23]

В быстродействующих переключающих схемах необходимо учитывать происходящие по ряду причин временные выдержки в транзисторах. [24]

Выключатель переменного тока. [25]

В рассмотренных переключающих схемах во время работы тиристоры полностью открыты и обеспечивают подвод к нагрузке полной мощности. [26]

Рабочие точки транзистора в режиме в схеме с общим эмиттером. [27]

В подавляющем большинстве переключающих схем транзистор включается по схеме с общим эмиттером: ток нагрузки проходит по цепи, замыкающейся промежутком коллектор - эмиттер, а управление осуществляется при помощи сигналов, вводимых в цепь база - эмиттер. При этом запертое состояние ( ток в цепи нагрузки выключен) достигается переводом рабочей точки транзистора в область отсечки, а отпертое - переводом ее в область насыщения коллекторного тока ( см. стр. [28]

Зависимость коэффициента шума транзистора от частоты. [29]

В подавляющем большинстве переключающих схем транзистор включается по схеме ОЭ: ток нагрузки протекает по цепи, замыкающейся промежутком коллектор-эмиттер, а управление осуществляется при помощи сигналов, вводимых в цепь база-эмиттер. [30]

Страницы: 1 2 3 4