Высокочастотная схема
Cтраница 1
Высокочастотные схемы расположены в пульте слева, а источники питания магнита - в шкафу справа. [2]
 |
Эквивалентные схемы генератора для паразитных УВЧ колебаний. [3] |
Эквивалентная высокочастотная схема генератора для частоты соп с учетом паразитных параметров приведена на рис. 2 - 19 а, где L. [4]
Вариант высокочастотной схемы с высокой разрешающей способностью приведен на фиг. Эта схема находит широкое применение в телефонии и других областях для резонансного выделения сигнала. Вообще говоря, современные схемы такого типа строятся с применением сердечников из очень тонкого пермаллоя, однако на высоких частотах применяются ферриты. [5]
 |
К пояснению работы ограничителя на транзисторах. [6] |
В высокочастотных схемах для предотвращения насыщения применяется фиксация минимального напряжения на коллекторе. [7]
 |
Трансформаторы на линиях передач. [8] |
В высокочастотных схемах, предназначенных для связи или других применений, где рабочая частота ограничена узкой областью, принято использовать настроенные LC-цепи в качестве нагрузки коллектора или стока. Это дает несколько преимуществ: а) большее усиление в 0 одном каскаде, поскольку нагрузка представляет собой вы-X сокое полное сопротивление на частоте сигнала ( KugmZ t) и в то же время допускается произвольный ток покоя; б) исключаются нежелательные эффекты емкостной нагрузки, так как контур LC встраивает любую емкость, - она становится частью настраиваемой емкости схемы; в) упрощается межкаскадная связь, поскольку от LC-цепи можно делать ответвления или организовывать трансформаторную связь и даже строить резонансные согласованные цепи, как, например, П - образные четырехполюсные фильтры, чтобы получить любое желаемое согласование сопротивлений; г) благодаря частотной селективности настраиваемого контура отсутствуют шумы и сигналы с частотами, не входящими в полосу. [9]
В высокочастотных схемах, где эти цепи являются настроенными контурами, влияние этих емкостей приводит к уменьшению отношения L / C этих настроенных контуров и, таким образом, уменьшению их динамического импеданса. Кроме этого, особенно при ультравысоких частотах, влияние этих емкостей приводит к уменьшению диапазона настройки данного настроечного конденсатора. [10]
В высокочастотных схемах часто необходимо поддерживать величину мощности рассеяния в пределах до нескольких милливатт. [11]
При расчете высокочастотных схем обычно предпочитают пользоваться параметрами-проводимостями ( ( / - параметрами), которые легче измеряются на высоких частотах. При этом все ( / - параметры оказываются комплексными величинами и их представляют в виде суммы активной и реактивной составляющих. Реактивные составляющие часто представляют при помощи эквивалентных им емкостей. [12]
Для расчета высокочастотных схем обычно пользуются ( / - параметрами, поэтому рассмотрим частотные зависимости именно этих параметров. [13]
При моделировании высокочастотных схем в модель следует ввести индуктивности выводов. Для повышения точности необходимо учитывать зависимость сопротивления базы от режима, частотные зависимости коэффициентов передачи, лавинное умножение носителей в р - п-переходе, а также моделировать влияние таких внешних факторов, как температура, излучение, давление на соответствующие параметры. [14]
В случае высокочастотных схем это заземление должно быть произведено непосредственно у каждой ламповой панели, причем нужно внимательно следить за тем, чтобы заземлялся один и тот же проводник во избежание короткого замыкания в цепи накала. [15]
Страницы: 1 2 3